Транзистор КТ8130

Цоколевка транзисторов КТ8130, КТ8131
Цоколевка транзисторов КТ8130, КТ8131

 

Параметры транзистора КТ8130
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ8130А 2N6034, BU406
КТ8130Б 2N6035, BD876
КТ8130В 2N6036
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ8130А 1; 20* Вт
КТ8130Б 1; 20*
КТ8130В 1; 20*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ8130А ≥25 МГц
КТ8130Б ≥25
КТ8130В ≥25
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ8130А 40 В
КТ8130Б 60
КТ8130В 80
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ8130А 5 В
КТ8130Б 5
КТ8130В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ8130А 4(8*) А
КТ8130Б 4(8*)
КТ8130В 4(8*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ8130А 40 В ≤100 мкА
КТ8130Б 60 В ≤100
КТ8130В 80 В ≤100
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ8130А 3 В; 0.2 А 750…15000*
КТ8130Б 3 В; 0.2 А 750…15000*
КТ8130В 3 В; 0.2 А 750…15000*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ8130А 10 В ≤200 пФ
КТ8130Б 10 В ≤200
КТ8130В 10 В ≤200
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ8130А ≤1 Ом, дБ
КТ8130Б ≤1
КТ8130В ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ8130А Дб, Ом, Вт
КТ8130Б
КТ8130В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ8130А пс
КТ8130Б
КТ8130В

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.