Транзистор КТ827

Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828
Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828

 

Параметры транзистора КТ827
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ827А BDX63A, MJ3521
КТ827Б BDX65
КТ827В BDX85, MJ3520
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ827А 125* Вт
КТ827Б 125*
КТ827В 125*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ827А ≥4 МГц
КТ827Б ≥4
КТ827В ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ827А 100* В
КТ827Б 80*
КТ827В 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ827А 5 В
КТ827Б 5
КТ827В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ827А 20(40*) А
КТ827Б 20(40*)
КТ827В 20(40*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ827А 100 В ≤3 мА
КТ827Б 80 В ≤3
КТ827В 60 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ827А 3 В; 10 А 750..18000*
КТ827Б 3 В; 10 А 750..18000*
КТ827В 3 В; 10 А 750..18000*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ827А 10 В ≤400 пФ
КТ827Б 10 В ≤400
КТ827В 10 В ≤400
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ827А ≤0.2 Ом, дБ
КТ827Б ≤0.2
КТ827В ≤0.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ827А Дб, Ом, Вт
КТ827Б
КТ827В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ827А ≤4.5* мкс пс
КТ827Б ≤4.5* мкс
КТ827В ≤4.5* мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.