Транзистор КТ828

Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828
Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828

 

Параметры транзистора КТ828
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ828А BU326A
КТ828Б 2SD640
КТ828В BUX97B
КТ828Г 2SD640
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ828А 50 °С 50* Вт
КТ828Б 50*
КТ828В 50 °С 50*
КТ828Г 50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ828А ≥4 МГц
КТ828Б ≥4
КТ828В ≥4
КТ828Г ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ828А 0.01к 800* В
КТ828Б 0.01к 600*
КТ828В 0.01к 800*
КТ828Г 0.01к 600*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ828А 5 В
КТ828Б 5
КТ828В 5
КТ828Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ828А 5(7.5*) А
КТ828Б 5(7.5*)
КТ828В 5(7.5*)
КТ828Г 5(7.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ828А 1400 В ≤5 мА
КТ828Б 1200 В ≤5
КТ828В 800 В ≤5
КТ828Г 600 В ≤5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ828А 5 В; 4.5 А ≥2.25*
КТ828Б 5 В; 4.5 А ≥2.25*
КТ828В 5 В; 4.5 А ≥2.25*
КТ828Г 5 В; 4.5 А ≥2.25*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ828А пФ
КТ828Б
КТ828В
КТ828Г
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ828А ≤0.66 Ом, дБ
КТ828Б ≤0.66
КТ828В ≤0.66
КТ828Г ≤0.66
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ828А Дб, Ом, Вт
КТ828Б
КТ828В
КТ828Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ828А ≤10* пс
КТ828Б ≤10*
КТ828В ≤10*
КТ828Г ≤10*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.