Транзистор КТ831

Цоколевка транзистора КТ831
Цоколевка транзистора КТ831

 

Параметры транзистора КТ831
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ831А 2N4300
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ831А 5 Вт
КТ831Б 5
КТ831В 5
КТ831Г 5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ831А ≥4 МГц
КТ831Б ≥4
КТ831В ≥4
КТ831Г ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ831А 35 В
КТ831Б 60
КТ831В 80
КТ831Г 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ831А 12 В
КТ831Б 5
КТ831В 5
КТ831Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ831А 2 А
КТ831Б 2
КТ831В 2
КТ831Г 2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ831А мА
КТ831Б
КТ831В
КТ831Г
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ831А ≥2
КТ831Б ≥5
КТ831В ≥25
КТ831Г ≥20
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ831А пФ
КТ831Б
КТ831В
КТ831Г
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ831А ≤0.6 Ом, дБ
КТ831Б ≤0.6
КТ831В ≤0.6
КТ831Г ≤0.6
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ831А Дб, Ом, Вт
КТ831Б
КТ831В
КТ831Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ831А ≤1000* пс
КТ831Б ≤1000*
КТ831В ≤1000*
КТ831Г ≤1000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.