Транзистор КТ834

Цоколевка транзистора КТ834
Цоколевка транзистора КТ834

 

Параметры транзистора КТ834
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ834А SDN6002
КТ834Б SDN6001
КТ834В SDN6000
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ834А 100* Вт
КТ834Б 100*
КТ834В 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ834А ≥4 МГц
КТ834Б ≥4
КТ834В ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ834А 0.1к 500* В
КТ834Б 0.1к 450*
КТ834В 0.1к 400*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ834А 8 В
КТ834Б 8
КТ834В 8
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ834А 15(20*) А
КТ834Б 15(20*)
КТ834В 15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ834А 500 В ≤3* мА
КТ834Б 450 В ≤3*
КТ834В 400 В ≤3*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ834А 150…3000*
КТ834Б 150…3000*
КТ834В 150…3000*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ834А 150 В ≤100 пФ
КТ834Б 150 В ≤100
КТ834В 150 В ≤100
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ834А ≤0.13 Ом, дБ
КТ834Б ≤0.13
КТ834В ≤0.13
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ834А Дб, Ом, Вт
КТ834Б
КТ834В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ834А tсп≤1.2 мкс пс
КТ834Б tсп≤1.2 мкс
КТ834В tсп≤1.2 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.