Транзистор КТ850

Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852
Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852

 

Параметры транзистора КТ850
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ850А 2SC216B, 2SD610, 2SC4382 *2, 2SC1195 *1, 2N5664 *3, 2N5666 *3, 2N5052 *3, 2SD657 *3, 2SC783 *3, 2SD656 *3, 40374 *3
КТ850Б MPSU04, BUX67A *1, 2SD1017 *3, TRL2255S *3, D44T1, ST44R5 *2, FT47, 2SC779 *3
КТ850В 2N6477
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ850А 25* Вт
КТ850Б 25*
КТ850В 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ850А ≥20 МГц
КТ850Б ≥20
КТ850В ≥20
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ850А 250 В
КТ850Б 300
КТ850В 180
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ850А 5 В
КТ850Б 5
КТ850В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ850А 2(3*) А
КТ850Б 2(3*)
КТ850В 2(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ850А 250 В ≤100 мкА
КТ850Б 300 В ≤500
КТ850В 180 В ≤500
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ850А 10 В; 0.5 А 40…200*
КТ850Б 10 В; 0.5 А ≥20*
КТ850В 10 В; 0.5 А ≥20*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ850А 5 В ≤35 пФ
КТ850Б 5 В ≤35
КТ850В 5 В ≤35
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ850А ≤2 Ом, дБ
КТ850Б ≤2
КТ850В ≤2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ850А Дб, Ом, Вт
КТ850Б
КТ850В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ850А 1500* пс
КТ850Б 1500*
КТ850В 1500*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.