Транзистор КТ850

Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852
Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852

 

Параметры транзистора КТ850
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ850А 2SC216B, 2SD610
КТ850Б MPSU04
КТ850В 2N6477
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ850А 25* Вт
КТ850Б 25*
КТ850В 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ850А ≥20 МГц
КТ850Б ≥20
КТ850В ≥20
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ850А 250 В
КТ850Б 300
КТ850В 180
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ850А 5 В
КТ850Б 5
КТ850В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ850А 2(3*) А
КТ850Б 2(3*)
КТ850В 2(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ850А 250 В ≤100 мкА
КТ850Б 300 В ≤500
КТ850В 180 В ≤500
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ850А 10 В; 0.5 А 40…200*
КТ850Б 10 В; 0.5 А ≥20*
КТ850В 10 В; 0.5 А ≥20*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ850А 5 В ≤35 пФ
КТ850Б 5 В ≤35
КТ850В 5 В ≤35
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ850А ≤2 Ом, дБ
КТ850Б ≤2
КТ850В ≤2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ850А Дб, Ом, Вт
КТ850Б
КТ850В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ850А 1500* пс
КТ850Б 1500*
КТ850В 1500*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.