Транзистор КТ872

Цоколевка транзистора КТ872
Цоколевка транзистора КТ872

 

Параметры транзистора КТ872
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ872А BU508, MJE 13005
КТ872Б BU508A
КТ872В BU508D
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ872А 100* Вт
КТ872Б 100*
КТ872В 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ872А ≥7 МГц
КТ872Б ≥7
КТ872В ≥7
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ872А 1500; 700* В
КТ872Б 1500; 700*
КТ872В 1200; 600*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ872А 6 В
КТ872Б 6
КТ872В 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ872А 8(15*) А
КТ872Б 8(15*)
КТ872В 8(15*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ872А 1500 В ≤1 мА
КТ872Б 1500 В ≤1
КТ872В 1200 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ872А 5 В; 30 А ≥6
КТ872Б 5 В; 30 А ≥6
КТ872В 5 В; 30 А ≥6
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ872А 15 В ≤125 пФ
КТ872Б 15 В ≤125
КТ872В 15 В ≤125
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ872А ≤0.22 Ом, дБ
КТ872Б ≤1.1
КТ872В ≤1.1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ872А Дб, Ом, Вт
КТ872Б
КТ872В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ872А ≤7500* пс
КТ872Б ≤7500*
КТ872В ≤7500*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.