Транзистор КТ878

Цоколевка транзистора КТ878
Цоколевка транзистора КТ878

 

Параметры транзистора КТ878
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ878А BUX98
КТ878Б 2N6516
КТ878В 2N6678, BUX25, BUX98
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ878А 150* Вт
КТ878Б 2; 100*
КТ878В 2; 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ878А ≥10 МГц
КТ878Б ≥10
КТ878В ≥10
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ878А 0.01к 900* В
КТ878Б 0.01к 800*
КТ878В 0.01к 600*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ878А 5 В
КТ878Б 6
КТ878В 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ878А 25(50*) А
КТ878Б 25(50*)
КТ878В 25(50*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ878А 900 В ≤3 мА
КТ878Б 800 В ≤3
КТ878В 600 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ878А 5 В; 10 А 12…50*
КТ878Б 5 В; 10 А 12…50*
КТ878В 5 В; 10 А 12…50*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ878А 10 В ≤500 пФ
КТ878Б 10 В ≤500
КТ878В 10 В ≤500
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ878А ≤0.1 Ом, дБ
КТ878Б ≤0.1
КТ878В ≤0.1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ878А Дб, Ом, Вт
КТ878Б
КТ878В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ878А ≤3000* пс
КТ878Б ≤3000*
КТ878В ≤3000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.