Транзистор КТ890

Цоколевка транзистора КТ890
Цоколевка транзистора КТ890

 

Параметры транзистора КТ890
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ890А BUV37, ST6060 *1, IR6060 *1, SVT6060 *3, РТС6060 *3, GE10000 *3, MJ10000 *3, MJ10004 *3, BU920P *2
КТ890Б BUV37,  ST6060 *1, IR6060 *1, SVT6060 *3, РТС6060 *3, GE10000 *3, MJ10000 *3, MJ10004 *3, BU920P *2
КТ890В BU9302P,  ST6060 *1, IR6060 *1, SVT6060 *3, РТС6060 *3, GE10000 *3, MJ10000 *3, MJ10004 *3, BU920P *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ890А 120* Вт
КТ890Б 120*
КТ890В 120*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ890А 40 МГц
КТ890Б 40
КТ890В 40
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ890А 650 В
КТ890Б 500
КТ890В 350
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ890А 5 В
КТ890Б 5
КТ890В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ890А 20 А
КТ890Б 20
КТ890В 20
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ890А 350 В 0.5** мА
КТ890Б 350 В 0.25**
КТ890В 350 В 0.25**
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ890А 5 В; 5 А ≥200*
КТ890Б 5 В; 5 А ≥200*
КТ890В 5 В; 5 А ≥200*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ890А пФ
КТ890Б
КТ890В
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ890А ≤0.23 Ом, дБ
КТ890Б ≤0.22
КТ890В ≤0.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ890А Дб, Ом, Вт
КТ890Б
КТ890В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ890А пс
КТ890Б
КТ890В

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.