Транзистор КТ896

Цоколевка транзистора КТ896
Цоколевка транзистора КТ896

 

Параметры транзистора КТ896
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ896А BDV64B, SGSD200
КТ896Б BDV64, TIP 146
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ896А 2; 125* Вт
КТ896Б 2; 125*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ896А ≥4 МГц
КТ896Б ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ896А 90* В
КТ896Б 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ896А 5 В
КТ896Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ896А 20(30*) А
КТ896Б 20(30*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ896А мА
КТ896Б
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ896А 10 В; 5 А 750…18000*
КТ896Б 10 В; 5 А 750…18000*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ896А 10 В ≤700 пФ
КТ896Б 10 В ≤700
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ896А ≤0.4 Ом, дБ
КТ896Б ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ896А Дб, Ом, Вт
КТ896Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ896А ≤4500** пс
КТ896Б ≤4500**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.