Транзистор КТ931

Цоколевка транзисторов КТ930, КТ931
Цоколевка транзисторов КТ930, КТ931

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах широкополосных усилителей мощности класса С, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50 — 200 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Транзистор содержит внутреннее согласующее LC-звено. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 7 г.

 

Параметры транзистора КТ931
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ931А 2N6369, ВМ80-28
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ931А 40 °C 150** Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ931А ≥250 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ931А 0.01к 60* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ931А 4 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ931А 15 А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ931А 60 В ≤30* мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ931А 5 В; 0.5 А 25*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ931А 28 В ≤240 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ931А 0.18; ≥3,5** Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ931А 175 МГц ≥80** Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ931А 18 пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.