Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов

Буквенное обозначение Параметр
Отечественное Международное
 IЗ IG  Ток затвора (постоянный).
Iз отс IGSX  Ток отсечки затвора.
IЗ пр  IGF  Прямой ток затвора.
IЗ ут IGSS  Ток утечки затвора.
IЗИО IGSO  Обратный ток перехода затвор-исток.
IЗСО IGDO  Обратный ток перехода затвор-сток.
IИ IS  Ток истока (постоянный).
 IИ нач ISDS  Начальный ток истока.
 IИ ост  ISDX  Остаточный ток истока.
IС ID  Ток стока (постоянный).
 IС нагр IDSR  Ток стока при нагруженном затворе.
  IС нач IDSS  Начальный ток стока.
 IС ост IDSX  Остаточный ток стока.
 IП IB, IU  Ток подложки.
UЗИ  UGS  Напряжение затвор-исток (постоянное).
 UЗИ обр  UGSR  Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
 UЗИ отс  UGS(OFF),  UGS(off)  Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором
и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).
UЗИ пор  UGST, UGS(th), UGS(TO)  Пороговое напряжение транзистора — напряжение между затвором и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором).
 UЗИ пр UGSF  Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗ проб U(BR) GSS  Пробивное напряжение затвора — напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
UЗП UGB, UGU  Напряжение затвор-подложка (постоянное).
UЗС UGD  Напряжение затвор-сток (постоянное).
UИП USB, USU  Напряжение исток-подложка (постоянное).
 UСИ UDS  Напряжение сток-исток (постоянное).
  UСП UDB, UDU  Напряжение сток-подложка (постоянное).
  U31— U32 UG1— UG2  Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами).
PСИ PDS  Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
PСИ, т max  Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом
(постоянная).
S gms  Крутизна характеристики.
RЗИ rGS, rgs  Сопротивление затвор-исток.
RЗС rGD, rgd  Сопротивление затвор-сток.
RЗСО rGSS, rgss  Сопротивление затвора (при UDS = 0 или Uds = 0).
RСИ отк rDS(ON), rds(on), rDS on  Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток.
RСИ закр rDS(OFF), rds(off), rDS off  Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток.
Сзио Cgso  Емкость затвор-исток — емкость между затвором и истоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Сзсо Cgdo  Емкость затвор-сток — емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Ссио Cdso  Емкость сток-исток — емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
C11и, Свх, и Ciss, C11ss Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком.
С12и Crss, C12ss  Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком
замыкании на входе по переменному току.
С22и Coss, C22ss  Выходная емкость транзистора — емкость между стоком
и истоком.
С22с  Cods, C22ds  Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменному току).
g11и giss, g11s  Активная составляющая входной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
g22и goss, g22s  Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y11и Yis, Y11s  Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
Y12и Yrs, Y12s  Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y21и Yfs, Y21s  Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе;
Yfs = gfs + gbfs = Id / Ugs ; на низких частотах |Yfs| = gfs).
Y22и Yos, Y22s  Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замыкании на входе).
Kу. P GP  Коэффициент усиления по мощности.
fY21и fYfs  Частота отсечки в схеме с общим истоком.
Uш Un  Шумовое напряжение транзистора.
Eш en  Электродвижущая сила шума
 Kш F  Коэффициент шума транзистора.
αID  Температурный коэффициент тока стока.
αrds  Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
tвкл ton  Время включения транзистора.
tвыкл toff  Время выключения транзистора.
tзд, вкл td(on)  Время задержки включения.
tзд, выкл td(off)  Время задержки выключения.
tнр tr  Время нарастания.
tсп tf  Время спада.
Для сдвоенных полевых транзисторов:
IЗ(ут)1-IЗ(ут)2 IGSS1-IGSS2  Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изолированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых транзисторов с р-n-переходом).
IC нач1/IC нач1 IDSS1/IDSS2  Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток.
UЗИ1-UЗИ2 UGS1-UGS2  Разность напряжений затвор-исток.
|Δ(UЗИ1-UЗИ2 )|/ΔT |Δ(UGS1-UGS2 )|/ΔT  Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя значениями температуры.
g22и1-g22и2 gos1-gos2  Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.
 g21и1/g21и2 gos1/gos2  Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.