Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты с нормированным коэффициентом шума, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе
Масса транзистора не более 0.6 г.

 

Параметры транзисторов КТ501

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ501А		SFT130, 2S3221 *2, 2S3021 *3, 2N2373 *2, 2N2372 *2
		КТ501Б		SF125, 2N1239 *3, 2S3240 *2, 2N2894, KSY81, 2N3977 *3, KSY82 *2, TR15 *2, 2S3040 *3
		КТ501В		SF131, 2S304 *2, 2SA1883 *3, 2SB1279 *3, 2SB1199 *3, 2S307A *3, CP4 *3, 2N2944 *3
		КТ501Г		BCY90B, 2N1221, 2N6567 *3, 2N1254 *2, 2N1220 *2, 2N1219 *2, 2S322A *3
		КТ501Д		BCY38, PET4059 *3, PET4060 *3, 2N1255 *2, MPS404 *3, THC2945 *3, 2N3978 *3, 2N2945 *3, BC250 *3, 2N869A *2
		КТ501Е		SFT124, 2N4125 *3, РЕТ4061 *3, 2N1258 *2, KSA642 *1, KSA1378 *1, 2SB641 *3, CSA643О *3, 2N2945A *3
		КТ501Ж		SFT143, 2N327B *2, 2S3220 *3, 2S3210 *3, 2N1256 *2, 2N3979 *3, OC206 *1, ОС204 *3
		КТ501И		SFT144, BC281A, 2N1257,  MPS404A *1
		КТ501К		BCY54, XIT139 *3, IT139/71 *3, IT139 *3, 2N3911 *1, 2N3914, BSR18 *3, 2SA1835SP *1, 2SA1835S *1, 2SA1835SN *1, 2SA559A, 2SA558, 2N2946 *2, 2SA539 *1
		КТ501Л		BCY94B, 2N1774A, ОС205 *3, 2N1259, 2N327B *2
		КТ501М		BCY39, BCY95B, BCY11 *3, GES2906A *1, 2N3910 *1, 2N3913, JE9215A *3, JE9215 *3, KSA539 *3
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ501А	35 °C	350	мВт
		КТ501Б	35 °C	350
		КТ501В	35 °C	350
		КТ501Г	35 °C	350
		КТ501Д	35 °C	350
		КТ501Е	35 °C	350
		КТ501Ж	35 °C	350
		КТ501И	35 °C	350
		КТ501К	35 °C	350
		КТ501Л	35 °C	350
		КТ501М	35 °C	350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ501А	—	≥5	МГц
		КТ501Б	—	≥5
		КТ501В	—	≥5
		КТ501Г	—	≥5
		КТ501Д	—	≥5
		КТ501Е	—	≥5
		КТ501Ж	—	≥5
		КТ501И	—	≥5
		КТ501К	—	≥5
		КТ501Л	—	≥5
		КТ501М	—	≥5
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ501А	10к	15*	В
		КТ501Б	10к	15*
		КТ501В	10к	15*
		КТ501Г	10к	30*
		КТ501Д	10к	30*
		КТ501Е	10к	30*
		КТ501Ж	10к	45*
		КТ501И	10к	45*
		КТ501К	10к	45*
		КТ501Л	10к	60*
		КТ501М	10к	60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ501А	—	10	В
		КТ501Б	—	10
		КТ501В	—	10
		КТ501Г	—	10
		КТ501Д	—	10
		КТ501Е	—	10
		КТ501Ж	—	20
		КТ501И	—	20
		КТ501К	—	20
		КТ501Л	—	20
		КТ501М	—	20
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ501А	—	300(500*)	мА
		КТ501Б	—	300(500*)
		КТ501В	—	300(500*)
		КТ501Г	—	300(500*)
		КТ501Д	—	300(500*)
		КТ501Е	—	300(500*)
		КТ501Ж	—	300(500*)
		КТ501И	—	300(500*)
		КТ501К	—	300(500*)
		КТ501Л	—	300(500*)
		КТ501М	—	300(500*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ501А	15 В	≤1*	мкА
		КТ501Б	15 В	≤1*
		КТ501В	15 В	≤1*
		КТ501Г	30 В	≤1*
		КТ501Д	30 В	≤1*
		КТ501Е	30 В	≤1*
		КТ501Ж	45 В	≤1*
		КТ501И	45 В	≤1*
		КТ501К	45 В	≤1*
		КТ501Л	60 В	≤1*
		КТ501М	60 В	≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ501А	1 В; 30 мА	20…60*
		КТ501Б	1 В; 30 мА	40…120*
		КТ501В	1 В; 30 мА	80…240*
		КТ501Г	1 В; 30 мА	20…60*
		КТ501Д	1 В; 30 мА	40…120*
		КТ501Е	1 В; 30 мА	80…240*
		КТ501Ж	1 В; 30 мА	20…60*
		КТ501И	1 В; 30 мА	40…120*
		КТ501К	1 В; 30 мА	80…240*
		КТ501Л	1 В; 30 мА	20…60*
		КТ501М	1 В; 30 мА	40…120*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ501А	10 В	≤50	пФ
		КТ501Б	10 В	≤50
		КТ501В	10 В	≤50
		КТ501Г	10 В	≤50
		КТ501Д	10 В	≤50
		КТ501Е	10 В	≤50
		КТ501Ж	10 В	≤50
		КТ501И	10 В	≤50
		КТ501К	10 В	≤50
		КТ501Л	10 В	≤50
		КТ501М	10 В	≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ501А	—	≤1.3	Ом, дБ
		КТ501Б	—	≤1.3
		КТ501В	—	≤1.3
		КТ501Г	—	≤1.3
		КТ501Д	—	≤1.3
		КТ501Е	—	≤1.3
		КТ501Ж	—	≤1.3
		КТ501И	—	≤1.3
		КТ501К	—	≤1.3
		КТ501Л	—	≤1.3
		КТ501М	—	≤1.3
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ501А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ501Б	—	—
		КТ501В	1 кГц	≤4
		КТ501Г	—	—
		КТ501Д	—	—
		КТ501Е	1 кГц	≤4
		КТ501Ж	—	—
		КТ501И	—	—
		КТ501К	1 кГц	≤4
		КТ501Л	—	—
		КТ501М	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ501А	—	—	пс
		КТ501Б	—	—
		КТ501В	—	—
		КТ501Г	—	—
		КТ501Д	—	—
		КТ501Е	—	—
		КТ501Ж	—	—
		КТ501И	—	—
		КТ501К	—	—
		КТ501Л	—	—
		КТ501М	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная зависимость, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная зависимость, тип корпуса отличается.