Транзистор КТ603

Цоколевка транзистора КТ603
Цоколевка транзистора КТ603

 

Параметры транзистора КТ603
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ603Б 2SC594 *3, PET8006 *3, 2N5028 *3, 2SD602 *1
КТ603Г BSY62A *3, ZTX311 *3
КТ603Д MPS5134 *3
 КТ603Е 2N2719 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ603А 50 °C 0.5 Вт
КТ603Б 50 °C 0.5
КТ603В 50 °C 0.5
КТ603Г 50 °C 0.5
КТ603Д 50 °C 0.5
 КТ603Е 50 °C 0.5
 КТ603И 50 °C 0.5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ603А — ≥200 МГц
КТ603Б — ≥200
КТ603В — ≥200
КТ603Г — ≥200
КТ603Д — ≥200
КТ603Е — ≥200
 КТ603И — ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ603А 1к 30* В
КТ603Б 1к 30*
КТ603В 1к 15*
КТ603Г 1к 15*
КТ603Д 1к 10*
КТ603Е 1к 10*
 КТ603И 1к 30*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ603А — 3 В
КТ603Б — 3
КТ603В — 3
КТ603Г — 3
КТ603Д — 3
КТ603Е — 3
 КТ603И — 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ603А — 300(600*) мА
КТ603Б — 300(600*)
КТ603В — 300(600*)
КТ603Г — 300(600*)
КТ603Д — 300(600*)
КТ603Е — 300(600*)
 КТ603И — 300(600*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ603А 30 В ≤10 мкА
КТ603Б 30 В ≤10
КТ603В 15 В ≤5
КТ603Г 15 В ≤5
КТ603Д 10 В ≤1
КТ603Е 10 В ≤1
 КТ603И 30 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ603А 2 В; 0.15 А 10…80*
КТ603Б 2 В; 0.15 А ≥60*
КТ603В 2 В; 0.15 А 10…80*
КТ603Г 2 В; 0.15 А ≥60*
КТ603Д 2 В; 0.15 А 20…80*
КТ603Е 2 В; 0.15 А 60…200*
 КТ603И 2 В; 0.35 А ≥20*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ603А 10 В ≤15
 пФ
КТ603Б 10 В ≤15
КТ603В 10 В ≤15
КТ603Г 10 В ≤15
КТ603Д 10 В ≤15
КТ603Е 10 В ≤15
 КТ603И 10 В ≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ603А — ≤7 Ом, дБ
КТ603Б — ≤7
КТ603В — ≤7
КТ603Г — ≤7
КТ603Д — ≤7
КТ603Е — ≤7
 КТ603И — ≤3.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ603А — — Дб, Ом, Вт
КТ603Б — —
КТ603В — —
КТ603Г — —
КТ603Д — —
КТ603Е — —
 КТ603И — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ603А — ≤100** пс
КТ603Б — ≤100**
КТ603В — ≤100**
КТ603Г — ≤100**
КТ603Д — ≤100**
КТ603Е — ≤100**
КТ603И — ≤100**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.