Транзистор КТ837

Цоколевка транзистора КТ837
Цоколевка транзистора КТ837

 

Параметры транзистора КТ837
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ837А BD534, TIP42C, 2N3192 *3, 2N3188 *3, 2N3180 *3, 2N3176 *3, 2N3196 *3, 2N3184 *3
КТ837Б BD536, 2N6106, MJF6107 *3, 2N5981 *1, NTB708, NTB707, 2N5975 *3, 2N6133 *2
КТ837В BD234, 2N6106, MJF6107 *3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M,

2SB1097L, KSB1097
КТ837Г BD225, 2N5162 *3, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3, 2N3195 *3, 2N3183 *3
 КТ837Д 2SB434, 2N6108, RCA1C06, KP055 *3, 40876, 2N5974 *3
 КТ837Е 2N6125, 2N6108, 2N6109, 

BD738 *2
 КТ837Ж 2N6124, 2N6132, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3
 КТ837И 2SB435, 2N6132, TIP42 *2
 КТ837К BD944, 2N6110, RCA1C11, BD544,

 40980, 2N6110 *2, 2N6111 *2, 2SA1129M *2
 КТ837Л 2N6126,  2N3192 *3, 2N3188 *3, 2N3180 *3, 2N3176 *3, 2N3196 *3, 2N3184 *3
 КТ837М BD223, MJF6107 *3, 2N5981 *1, NTB708, NTB707, 2N5975 *3, 2N6133 *2
КТ837Н BD223, 2N6106, MJF6107 *3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M,

2SB1097L, KSB1097
 КТ837П 2SB435G, 2N5162 *3, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3, 2N3195 *3, 2N3183 *3
 КТ837Р 2SB434, RCA1C06, KP055 *3, 40876, 2N5974 *3 
 КТ837С BD225, 2N6108, 2N6109, BD738 *2
 КТ837Т BD948,  2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3
 КТ837У 2SB435,  2N6132, TIP42 *2
КТ837Ф BD224,  RCA1C11, BD544,

 40980, 2N6110 *2, 2N6111 *2, 2SA1129M *2
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ837А — 30* Вт
КТ837Б — 30*
КТ837В — 30*
КТ837Г — 30*
 КТ837Д — 30*
 КТ837Е — 30*
 КТ837Ж — 30*
 КТ837И — 30*
 КТ837К — 30*
 КТ837Л — 30*
 КТ837М — 30*
КТ837Н — 30*
 КТ837П — 30*
 КТ837Р — 30*
 КТ837С — 30*
 КТ837Т — 30*
 КТ837У — 30*
КТ837Ф — 30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ837А — ≥1 МГц
КТ837Б — ≥1
КТ837В — ≥1
КТ837Г — ≥1
 КТ837Д — ≥1
 КТ837Е — ≥1
 КТ837Ж — ≥1
 КТ837И — ≥1
 КТ837К — ≥1
 КТ837Л — ≥1
 КТ837М — ≥1
КТ837Н — ≥1
 КТ837П — ≥1
 КТ837Р — ≥1
 КТ837С — ≥1
 КТ837Т — ≥1
 КТ837У — ≥1
КТ837Ф — ≥1
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ837А — 80 В
КТ837Б — 80
КТ837В — 80
КТ837Г — 60
 КТ837Д — 60
 КТ837Е — 60
 КТ837Ж — 45
 КТ837И — 45
 КТ837К — 45
 КТ837Л — 80
 КТ837М — 80
КТ837Н — 80
 КТ837П — 60
 КТ837Р — 60
 КТ837С — 60
 КТ837Т — 45
 КТ837У — 45
КТ837Ф — 45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ837А — 15 В
КТ837Б — 15
КТ837В — 15
КТ837Г — 15
 КТ837Д — 15
 КТ837Е — 15
 КТ837Ж — 15
 КТ837И — 15
 КТ837К — 15
 КТ837Л — 5
 КТ837М — 5
КТ837Н — 5
 КТ837П — 5
 КТ837Р — 5
 КТ837С — 5
 КТ837Т — 5
 КТ837У — 5
КТ837Ф — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ837А — 7.5 А
КТ837Б — 7.5
КТ837В — 7.5
КТ837Г — 7.5
 КТ837Д — 7.5
 КТ837Е — 7.5
 КТ837Ж — 7.5
 КТ837И — 7.5
 КТ837К — 7.5
 КТ837Л — 7.5
 КТ837М — 7.5
КТ837Н — 7.5
 КТ837П — 7.5
 КТ837Р — 7.5
 КТ837С — 7.5
 КТ837Т — 7.5
 КТ837У — 7.5
КТ837Ф — 7.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ837А 80 В ≤0.15 мА
КТ837Б 80 В ≤0.15
КТ837В 80 В ≤0.15
КТ837Г 60 В ≤0.15
 КТ837Д 60 В ≤0.15
 КТ837Е 60 В ≤0.15
 КТ837Ж 45 В ≤0.15
 КТ837И 45 В ≤0.15
 КТ837К 45 В ≤0.15
 КТ837Л 80 В ≤0.15
 КТ837М 80 В ≤0.15
КТ837Н 80 В ≤0.15
 КТ837П 60 В ≤0.15
 КТ837Р 60 В ≤0.15
 КТ837С 60 В ≤0.15
 КТ837Т 45 В ≤0.15
 КТ837У 45 В ≤0.15
КТ837Ф 45 В ≤0.15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ837А 5 В; 2 А 10…40*
КТ837Б 5 В; 2 А 20…80*
КТ837В 5 В; 2 А 50…150*
КТ837Г 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837Д 5 В; 2 А 20…80*
 КТ837Е 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837Ж 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837И 5 В; 2 А 20…80*
 КТ837К 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837Л 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837М 5 В; 2 А 20…80*
КТ837Н 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837П 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837Р 5 В; 2 А 20…80*
 КТ837С 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837Т 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837У 5 В; 2 А 20…80*
КТ837Ф 5 В; 2 А 50…150*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ837А — — пФ
КТ837Б — —
КТ837В — —
КТ837Г — —
 КТ837Д — —
 КТ837Е — —
 КТ837Ж — —
 КТ837И — —
 КТ837К — —
 КТ837Л — —
 КТ837М — —
КТ837Н — —
 КТ837П — —
 КТ837Р — —
 КТ837С — —
 КТ837Т — —
 КТ837У — —
КТ837Ф — —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ837А — ≤0.8 Ом, дБ
КТ837Б — ≤0.8
КТ837В — ≤0.8
КТ837Г — ≤0.3
 КТ837Д — ≤0.3
 КТ837Е — ≤0.3
 КТ837Ж — ≤0.25
 КТ837И — ≤0.25
 КТ837К — ≤0.25
 КТ837Л — ≤0.8
 КТ837М — ≤0.8
КТ837Н — ≤0.8
 КТ837П — ≤0.3
 КТ837Р — ≤0.3
 КТ837С — ≤0.3
 КТ837Т — ≤0.25
 КТ837У — ≤0.25
КТ837Ф — ≤0.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ837А — — Дб, Ом, Вт
КТ837Б — —
КТ837В — —
КТ837Г — —
 КТ837Д — —
 КТ837Е — —
 КТ837Ж — —
 КТ837И — —
 КТ837К — —
 КТ837Л — —
 КТ837М — —
КТ837Н — —
 КТ837П — —
 КТ837Р — —
 КТ837С — —
 КТ837Т — —
 КТ837У — —
КТ837Ф  — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ837А — — пс
КТ837Б — —
КТ837В — —
КТ837Г — —
 КТ837Д — —
 КТ837Е — —
 КТ837Ж — —
 КТ837И  — —
 КТ837К — —
 КТ837Л — —
 КТ837М — —
КТ837Н — —
 КТ837П —  —
 КТ837Р — —
 КТ837С — —
 КТ837Т — —
 КТ837У — —
КТ837Ф  — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.