Транзистор ГТ404

Цоколевка транзистор ГТ404
Цоколевка транзистор ГТ404

 

Параметры транзистора ГТ404
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ404А — АС176
ГТ404Б — АС127, АС141В
ГТ404В — GD607
ГТ404Г — АС181
ГТ404Д — АС141В
ГТ404Е — 2SD127
ГТ404Ж — 2SD128A
ГТ404И — 2SD128
Структура  — — n-p-n Вт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max А — 0.6 ; 0.3
Б — 0.6 ; 0.3
В — 0.6 ; 0.3
Г — 0.6 ; 0.3
Д — 0.6 ; 0.3
Е — 0.6 ; 0.3
Ж — 0.6 ; 0.3
И — 0.6 ; 0.3
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А — ≥1* МГц
Б — ≥1*
В — ≥1*
Г — ≥1*
Д — ≥1*
Е — ≥1*
Ж — ≥1*
И — ≥1*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 0.2 к 25* В
Б 0.2 к 25*
В 0.2 к 40*
Г 0.2 к 40*
Д 0.2 к 25*
Е 0.2 к 25*
Ж 0.2 к 40*
И 0.2 к 40*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А — — В
Б — —
В — —
Г — —
Д — —
Е — —
Ж — —
И — —
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А — 500 мА
Б — 500
В — 500
Г — 500
Д — 500
Е — 500
Ж — 500
И — 500
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А 10 В ≤25 мкА
Б 10 В ≤25
В 10 В ≤25
Г 10 В ≤25
Д 10 В ≤25
Е 10 В ≤25
Ж 10 В ≤25
И 10 В ≤25
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  1 В; 3 мА 30…80
Б 1 В; 3 мА 60…150
В 1 В; 3 мА 30…80
Г 1 В; 3 мА 60…150
Д 1 В; 3 мА 30…80
Е 1 В; 3 мА 60…150
Ж 1 В; 3 мА 30…80
И 1 В; 3 мА 60…150
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А — — пФ
Б — —
В — —
Г — —
Д — —
Е — —
Ж — —
И — —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А — ≤6 Ом
Б — ≤6
В — ≤6
Г — ≤6
Д — ≤6
Е — ≤6
Ж — ≤6
И — ≤6
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А — — Дб, Ом, Вт
Б — —
В — —
Г — —
Д — —
Е — —
Ж — —
И — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А — — пс
Б — —
В — —
Г — —
Д — —
Е — —
Ж — —
И — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Имя *
Email *
Сайт