Кремниевый n-p-n транзистор для выходных каскадов строчной развертки
Особенности
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Коллектор |
| Обозначение | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 200 | В |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 400 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 6 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 7 | А |
| Icm | Ток коллектора импульсный | t = 10 мс | — | — | 15 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 4 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Т = 25°С | — | — | 60 | Вт |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 6 В, Ic = 0 А | — | — | 1 | мА |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5 А, Ib = 0.5 А | — | — | 1 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5 А, Ib = 0.5 А | — | — | 1.2 | В |
| fT | Граничная частота эффективного усиления | — | 10 | — | — | мГц |
| Co | Выходная емкость | Vcb = 10 В, Ie = 0 А | — | 80 | — | пФ |
| Tf | Время спада импульса | Индуктивная нагрузка Ic = 5 А, Ib = 0.5 А | — | — | 0.75 | мкс |