FJAF6810 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор

Корпус транзистора FJAF6810 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора FJAF6810 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для выходных каскадов строчной развертки мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 750 В
Vebo Напряжение эмиттера-база — — — 6 В
Ic Ток коллектора постоянный — — — 10,0 А
Ip Ток коллектора импульсный — — — 20,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 60 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 В — — 10 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 В 40 — 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 А 10 — —
Vce = 5 В, Ic = 6,0 А 5 — 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 6,0 А, Ib = 1,5 А — — 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 6,0 А, Ib = 1,5 А — — 1,5 В
Tf Время спада импульса RI = 50 Ом — 0,2 — мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.