FJP3305 — кремниевый NPN планарный транзистор

Корпус транзистора FJP3305 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора FJP3305 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN планарный транзистор для импульсных источников питания.

Особенности:

  •  Высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 400 В
Vebo Напряжение эмиттера-база — — — 9 В
Ic Ток коллектора постоянный — — — 4,0 А
Ip Ток коллектора импульсный — — — 8,0 А
Ib Ток базы постоянный — — — 2,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 75 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 700 В, Ie = 0 В — — 1,0 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 9 В, Ic = 0 В — — 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 А 19 — 35
Vce = 5 В, Ic = 2,0 А 8 — 40
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,0 А, Ib = 0,2 А — — 0,5 В
Ic = 2,0 А, Ib = 0,5 А — — 0,6
Ic = 4,0 А, Ib = 1,0 А — — 1,0
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,0 А, Ib = 0,2 А — — 1,2 В
Ic = 2 А, Ib = 0,5 А — — 1,6
fT Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,5 А 4 — — МГц
Tf Время спада импульса RI = 125 Ом — — 0,9 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.