BUX85 — кремниевый NPN транзистор

Корпус транзистора BUX85 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BUX85 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN транзистор для импульсных источников питания и пусковых схем осветительных приборов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1000 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 450 В
Vebo Напряжение эмиттера-база — — — 5 В
Ic Ток коллектора постоянный — — — 2,0 А
Ip Ток коллектора импульсный t = 10 мс — — 3,0 А
Ib Ток базы — — — 0,75 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 50 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В — — 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,1 А 30 — 50 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0,3 А, Ib = 0,03 А — — 0,8 В
Ic = 1,0 А, Ib = 0,2 А — — 1
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,0 А, Ib = 0,2 А — — 1,1 В
Ton Время включения Резистивная нагрузка — 0,3 0,5 мкс
Tf Время спада импульса Резистивная нагрузка — 0,3 — мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.