BU2720DF — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU2720DF и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU2720DF и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V — — 1700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) — — — 825 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,5 А, Ib = 1,38 А — — 1,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения F = 16 кГц — 5,5 — А
Ic Ток коллектора — — — 10,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение — — — 25,0 А
Ib Ток базы — — — 10 А
Ibm Ток базы, пиковое значение — — — 14 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 45 Вт
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 5,5 А — — 1,6 В
Ts Время установления Ic_sat = 5,5 А, F = 16 кГц — 7,4 8,5 мкс
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 5,5 A — 6 7,3 —
Rbe Сопротивление резистора Rbe — — 65 — Ом

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.