2SC3950 — кремниевый эпитаксиальный планарный NPN транзистор

Корпус транзистора 2SC3950 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC3950 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый эпитаксиальный планарный NPN транзистор для выходных каскадов видеоусилителей телевизионных приемников.

Особенности:

  • Для применения в схемах широкополосных усилителей.
  • Высокая граничная частота эффективного усиления (fT = 2,0 ГГц).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 30 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 20 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 3 В
Ic Ток коллектора — — — 0,5 А
Icp Ток коллектора импульсный — — — 1 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 5 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 20 В, Ie = 0 — — 0,1 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 2 В, Ic = 0 — — 5,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 50 мA 40 — — —
Vce = 10 В, Ic = 500 мA 20 — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 300 мA, Ib = 30 мА — 0,3 — В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 300 мA, Ib = 30 мА — 0,9 — В
fT Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,1 A — 2,0 — ГГц
2SC3950 C D E
hFE (Ic = 50 мА) 40   80 60   120 100   200

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.