Описание
Кремниевый NPN транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с большими диагоналями ЭЛТ.
Особенности:
- Новое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Широкая область безопасной работы.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | Ie = 0 | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | Ib = 0 | — | — | 700 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | Ic = 0 В | — | 7 | В | |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 10 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 15 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 5 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 57 | Вт |
| Ices | Обратный ток коллектора | Vce = 1500 В, Veb = 0 В | — | — | 200 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Vbe = 5 В, Ic = 0 | — | — | 10 | мкА |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 1,25 А | — | — | 5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 1,25 А | — | — | 1,2 | В |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 5,0 А | 5 | — | 8 | — |
| Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | 0,35 | — | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: