Микросхема TDA2003 дает возможность собрать простой усилитель звуковой частоты, при использовании минимального количества внешних компонентов. При этом она обеспечивает высокую нагрузочную способность по току (до 3.5 А) и очень низкие уровни гармоник и перекрестных помех. Безопасная работа обеспечивается защитой от короткого замыкания по постоянному и переменному току, тепловой защитой и отключением нагрузки при всплесках напряжения до 40 В.

TDA1085 — Регулятор оборотов коллекторного двигателя

11 сентября, 201522 апреля, 2021 3 комментария

Микросхема TDA1085 фирмы MOTOROLA (отечественный аналог — КС1027ХА4) представляет собой контроллер коллекторного электродвигателя (ЭД) переменного тока. Она включает в себя все необходимые управляющие узлы и элементы, обеспечивающие функционирование ЭД в различных режимах его работы (например, в режимах разгона и стабилизации выбранной скорости вращения).

Особенности

Внутренний преобразователь частоты в напряжение
Встроенный генератор разгона
Плавный пуск
Ограничение тока нагрузки
Отслеживание целостности цепи таходатчика
Прямое питание от источника переменного тока
Функция безопасного подключения двигателя

Исполнение в пластиковом корпусе CASE 648

С буквой D в маркировке. Пластиковый корпус CASE 751B (SO–16)

Готовый регулятор оборотов или все для его сборки вы можете заказать в нашем интернет-магазине

LT1083 — Положительный регулируемый стабилизатор

6 августа, 201524 марта, 2017 Оставить комментарий

Микросхемы серии LT1083/LT1084/LT1085 — положительные регулируемые стабилизаторы с низким падением напряжения.

Особенности

Три вывода вместе с выходом управления
Выходной ток до до 3 А, 5 А или 7.5 А
Работа при пониженном напряжении
Гарантированное падение напряжения на всем диапазоне токов
Нестабильность выходного напряжения: 0.015 %
Нестабильность выходного напряжения по нагрузке: 0.1 %
100% функциональная проверка теплового предела
Исполнение в трех — выводном пластиковом корпусе TO-220 или DD

Параметры биполярных транзисторов

28 июля, 2015 Оставить комментарий

Буквенное обозначение		Параметр
Отечественное	Международное	Параметр
I_КБО	I_CBO	Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
I_ЭБО	I_EBO	Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
I_КЭO	I_CEO	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
I_КЭR	I_CER	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
I_КЭК	I_CES	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
I_КЭV	I_CEV	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
I_КЭX	I_CEX	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
I_{K max}	I_C max	Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
I_Э max	I_E max	Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
I_Б max	I_B max	Максимально допустимый постоянный ток базы.
I_{К , и max}	I_CM max	Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
I_{Э , и max}	I_EM max	Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
I_КР	—	Критический ток биполярного транзистора.
U_{КБО проб.}	U_{(BR) CBO}	Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{ЭБО проб.}	U_{(BR) ЕBO}	Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
U_{КЭО проб.}	U_{(BR) CEO}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
U_{КЭR проб.}	U_{(BR) CER}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭK проб.}	U_{(BR) CES}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
U_{КЭV проб.}	U_{(BR) CEV}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭХ проб.}	U_{(BR) CEX}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
U_{КЭО гр}	U_{(L) CEO}	Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
U_смк	U_pt	Напряжение смыкания транзистора.
U_{КЭ нас}	U_{CE sat}	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
U_{БЭ нас}	U_{BE sat}	Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
U_{ЭБ пл}	U_EBfl	Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{КБ max}	U_{CB max}	Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
U_{КЭ max}	U_{CE max}	Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{ЭБ max}	U_{EB max}	Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
U_{КЭ, и max}	U_{CEM max}	Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{КБ, и max}	U_{CBM max}	Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
U_{ЭБ, и max}	U_{EBM max}	Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
P	P_tot	Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
P_ср	P_AV	Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
P_и	P_M	Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
P_K	P_C	Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K, τ max}	—	Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
P_вых	P_out	Выходная мощность транзистора.
P_{и max}	P_M max	Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
P_K max	P_C max	Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K ср max}	—	Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
r_b	r_bb , r_b	Сопротивление базы.
r_{КЭ нас}	r_{CE sat}	Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
с_11э, с_11б	c_11e, c_11b	Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
с_22э, с_22б	c_22e, c_22b	Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
c_к	c_c	Емкость коллекторного перехода.
c_э	c_e	Емкость эмиттерного перехода.
f_гр	f_T	Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
f_max	f_max	Максимальная частота генерации.
f_h21э, f_h21б	f_h21e, f_hfe;f_h21b, f_hfb	Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
t_вкл	t_on	Время включения.
t_выкл	t_off	Время выключения.
t_зд	t_d	Время задержки.
t_нр	t_r	Время нарастания.
t_рас	t_s	Время рассасывания.
t_сп	t_f	Время спада.
h_11э, h_11б	h_11e, h_11b;h_ie, h_ib	Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_21э, h_21б	h_21e, h_21b;h_fe, h_fb	Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_12э, h_12б	h_12e, h_12b;h_re, h_rb	Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_22э, h_22б	h_22e, h_22b;h_oe, h_ob	Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
\|h_21э\|	\|h_21e\|	Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
h_11Э	h_11E,h_IE	Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
h_21Э	H_11E,H_FE	Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
Y_21Э	Y_21E	Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
Y_11э, Y_11б	Y_11e, Y_11b;Y_ie, Y_ib	Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_12э, Y_12б	Y_12e, Y_12b;Y_re, Y_rb	Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_21э, Y_21б	Y_21e, Y_21b;Y_fe, Y_fb	Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_22э, Y_22б	Y_22e, Y_22b;Y_oe, Y_ob	Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S_11э, S_11б, S_11к	S_11e, S_11b, S_11c; S_ie, S_ib, S_ic	Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_12э, S_12б, S_12к	S_12e, S_12b, S_12c; S_re, S_rb, S_rc	Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_22э, S_22б, S_22к	S_22e, S_22b, S_22c; S_oe, S_ob, S_oc	Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_21э, S_21б, S_21к	S_21e, S_21b, S_21c; S_fe, S_fb, S_fc	Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
—	f_se, f_sb, f_sc	Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S_21е = 1, S_21b = 1, S_21c= 1.
К_{у, р}	G_p	Коэффициент усиления мощности.
—	G_A, G_a	Номинальный коэффициент усиления по мощности.
К_ш	F	Коэффициент шума транзистора.
τ_к(r’_бС_к)	τc(r’_bbС_c)	Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
T_окр	T_A, T_amb	Температура окружающей среды.
T_к	T_c , T_case	Температура корпуса.
T_п	T_j	Температура перехода.
R_{т, п-с}	R_thja	Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
R_{т, п-к}	R_thjс	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
R_{т, к-с}	R_thса	Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
τ_{т, п-с}	τ_thja	Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τ_{т, п-к}	τ_thjс	Тепловая постоянная времени переход-корпус.
τ_{т, к-с}	τ_thса	Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.

TDA7377 — Четырехканальный усилитель

22 июля, 201524 марта, 2017 1 комментарий

Описание

ВЫСОКАЯ ВЫХОДНАЯ МОЩНОСТЬ (возможные варианты включения):

2 x35 Вт макс./4 Ом
2 x30 Вт/4 Ом по стандарту EIAJ
2 x30 Вт/4 Ом по стандарту EIAJ
2 x 20 Вт/4 Ом при 14.4 В, 1 кГц, 10%
4 x 6 Вт/4 Ом при 14.4 В, 1 кГц, 10%
4 x 10 Вт/2 Ом при 14.4 В, 1 кГц, 10%

Мощные биполярные транзисторы. Справочник

15 июля, 201529 сентября, 2021 Оставить комментарий

В справочнике приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео и аудиотехнике. В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS, SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement Guide. Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.

DataSheet

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Автор: admin

ULN2003 — Матрица из мощных транзисторов Дарлингтона

1 Особенности

2 Применение

IR2104 — Полумостовой драйвер

Свойства

TDA7050 — Низковольтный моно/стерео усилитель

Особенности

LM393 — Cдвоенный компаратор

Микросхемы серий: LM193, LM293, LM293A, LM393, LM393A, LM2903, LM2903V

1 Особенности

Микросхема TDA2003 — Усилитель звука

TDA1085 — Регулятор оборотов коллекторного двигателя

Особенности

LT1083 — Положительный регулируемый стабилизатор

Микросхемы серии LT1083/LT1084/LT1085 — положительные регулируемые стабилизаторы с низким падением напряжения.

Особенности

Параметры биполярных транзисторов

TDA7377 — Четырехканальный усилитель

Описание

Мощные биполярные транзисторы. Справочник