- Передовая технология процесса изготовления.
- Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии.
- Динамическое значение dv/dt.
- Рабочая температура 175 °C.
- Быстрое переключение.
- Полностью нормированные лавинные параметры
Описание
Передовые силовые полевые транзисторы HEXFET® от InternationalRectifier производятся по современным технологиям для достижения крайне низкого сопротивления в открытом состоянии на всей области кристалла. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и надежностью устройства, которые хорошо известны для МОП-транзисторов HEXFET, дает проектировщику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разнообразных сферах.
Корпус TO-220 универсален для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому распространению в производстве.
Читать далее «IRF3205 — силовой МОП-транзистор HEXFET®»