- Передовая технология процесса изготовления.
- Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии.
- Динамическое значение dv/dt.
- Рабочая температура 175 °C.
- Быстрое переключение.
- Полностью нормированные лавинные параметры
Описание
Передовые силовые полевые транзисторы HEXFET® от InternationalRectifier производятся по современным технологиям для достижения крайне низкого сопротивления в открытом состоянии на всей области кристалла. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и надежностью устройства, которые хорошо известны для МОП-транзисторов HEXFET, дает проектировщику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разнообразных сферах.
Корпус TO-220 универсален для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому распространению в производстве.
| Абсолютные максимальные значения | |||
| Параметры | Макс. | Единицы | |
| ID при Tc = 25 °C | Непрерывный ток стока, при VGS = 10 В | 110 5 | А |
| ID при Tc = 100 °C | Непрерывный ток стока, при VGS = 10 В | 80 | |
| IDM | Импульсный ток 1 | 390 | |
| PD при Tc = 25 °C | Рассеиваемая мощность | 200 | Вт |
| Линейный Понижающий Коэффициент | 1,3 | Вт/°C | |
| VGS | Напряжение затвор-сток | ±20 | В |
| IAR | Лавинный ток 1 | 62 | А |
| EAR | Энергия повторяющегося лавинного импульса 1 | 20 | мДж |
| dV/dt | Импульс на восстанавливающемся диоде dV/dt 3 | 5,0 | В/нс |
| TJ, TSTG | Температура перехода и температура хранения | -55 до 175 | °C |
| Температура припоя в течении 10 секунд | 300 (1,6 мм от корпуса) | ||
| Момент затяжки болт М3 | 1.1 | Н·м | |
| Тепловое сопротивление | ||||
| Обозначение | Параметры | Тип. | Макс. | Единицы |
| RthJC | Кристалл -корпус | — | 0,75 | |
| Rthcs | Корпус радиатора с плоской смазанной поверхностью | 0,50 | — | |
| RthJA | Кристалл — окружающая среда | — | 62 | °C/Вт |
| Электрические характеристики при TJ = 25 °C (если не указаны другие) | ||||||
| Параметры | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы | Условия | |
| V(BR)DSS | Напряжение пробоя сток-исток | 55 | — | — | В | VGS = 0 В, ID = 250 мкА |
| ΔV(BR)DSS/ΔTJ | Напряжение пробоя температурный коэффициент | — | 0,057 | — | В/°C | относительно 25 °C ID = 1 мА |
| RDS(on) | Статическое сопротивление сток-исток | — | — | 8,0 | мОм | VGS = 10 В, ID = 62 А 4 |
| VGS(th) | Пороговое напряжение | 2,0 | — | 4,0 | В | VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| gFS | Крутизна характеристики | 44 | — | — | С | VDS = 25 В, ID = 62 А 4 |
| IDSS | Ток утечки сток-исток | — | — | 25 | мкА | VDS = 55 В, VGS = 0 В |
| 250 | VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150 °C | |||||
| IGSS | Прямая утечка от затвора к истоку | — | — | 100 | нА | VGS = 20 В |
| Обратная утечка от затвора к истоку | — | — | -100 | VGS = -20 В | ||
| Qg | Суммарный Заряд Затвора | — | — | 146 | нКл | ID = 62 А VDS = 44 В VGS = 10 В, см. рис. 6 и 13 |
| Qgs | Заряд между затвором и истоком | — | — | 35 | ||
| Qgd | Заряд между затвором и стоком (заряд Миллера) | — | — | 54 | ||
| td(on) | Время задержки включения | — | 14 | — | нс | VDD = 28 В ID = 62 А RG = 4,5 Ом VGS = 10 В, см. рис. 10 4 |
| tr | Время нарастания | — | 101 | — | ||
| td(off) | Время задержки выключения | — | 50 | — | ||
| tf | Время спада | — | 65 | — | ||
| LD | Внутренняя Индуктивность Стока | — | 4,5 | — | нГн |
 |
| Ls | Внутренняя Индуктивность Истока | — | 7,5 | — | ||
| Ciss | Входная емкость | — | 3247 | — | пФ | VGS = 0 В |
| Coss | Выходная емкость | — | 781 | — | VDS = 25 В | |
| Crss | Проходная емкость | — | 211 | — | ƒ = 1.0 МГц см. рис 5 | |
| EAS | Лавинная энергия одиночного импульса | — | 1050 6 | 264 7 | мДж | IAS = 62 А, L = 138 мкГн |
| Параметр | Min. | Typ. | Max. | Ед. изм. | Условия | ||
| Is | Непрерывный ток истока (через паразитный диод) | — | — | 110 | A | Символ MOSFET, показывающий встроенный обратный диод образованный p-n переходом. |  |
| Ism | Импульсный ток стока (через паразитный диод)1 | — | — | 390 | |||
| Vsd | Прямое напряжение на диоде | — | — | 1.3 | В | Tj = 25 °C, Is = 62 A, VGS = 0 В4 | |
| trr | Время обратного восстановления | — | 69 | 104 | нс |
Tj = 25°C, If = 62A di/dt = 100A/мкс 4 |
|
| Qrr | Заряд обратного восстановления | — | 143 | 215 | нКл | ||
| ton | Время включения в прямом направлении | Собственное время включения пренебрежимо мало (время включения определяет значение LS+LD) | |||||
Примечание:
1 — Повторяющееся значение; ширина импульса ограничена макс. температурой перехода. (См. Рисунок 11).
2 — Начало TJ = 25 °C, L = 138 мкГн, RG = 25 Ом, IAS = 62 А (См. рис. 12).
3 — ISD ≤ 62 А, di/dt ≤ 207 А/мкс, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175 °C.
4 — Ширина импульса ≤ 400 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2%.
5 — Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуре перехода. Ограничение по току для данного типа корпуса — 75A.
6 — Это типичное значение при разрушении устройства и представляет собой выход за пределы номинальных значений.
7 — Это расчетное значение ограниченное TJ = 175 °C.
Рис. 14.1 Схема проверки скорости восстановления обратного диода
Соображения По Компоновке Схемы
- Низкая паразитная индуктивность
- Земляной полигон
- Трансформатор с низким током утечки
- dv/dt управляется значением RG
- Драйвер того же типа, что и D.U.T.
- ISD управляется коэффициентом заполнения «D»
- D.U.T. — Тестируемое устройство
VGS = 5V для устройств с логическим уровнем
