- Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии
- Динамический диапазон dv/dt
- Рабочая температура 175°C
- Быстрое переключение
- С полностью нормированными лавинными параметрами
Абсолютные максимальные значения
Параметр | Макс. | Ед. изм. | |
ID при TC = 25°C | Постоянный ток стока, при VGS=10 В | 49 | А |
ID при TC = 100°C | Постоянный ток стока, при VGS=10 В | 35 | |
IDM | Импульсный ток стока (1) | 160 | |
PD при TC = 25°C | Рассеиваемая мощность | 94 | Вт |
Линейный коэффициент снижения мощности | 0.63 | Вт/ °C | |
VGS | Напряжение затвор-исток | ± 20 | В |
IAR | Лавинный ток (1) | 25 | А |
EAR | Повторяющаяся лавинная энергия (1) | 9.4 | мДж |
dv/dt | Импульс на восстанавливающемся диоде (3) | 5.0 | В/нс |
TJ и TSTG | Рабочая температура p-n перехода и температура хранения | от -55 до + 175 | °C |
Температура пайки, до 10 с | 300 | ||
Момент затяжки болтом М3 | 1.1 | н∙м |
Параметр | Тип. | Макс. | Ед. изм. | |
RqJC | От кристалла к корпусу | — | 1.5 | °C/Вт |
RθCS | От корпуса к радиатору | 0.50 | — | |
RθJA | От кристалла к окружающей среде | — | 62 |
Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | Условия | |
IS | Постоянный ток истока (Внутренний диод) | — | — | 49 | А | В обозначении MOSFET транзистора показан
встроенный обратный p-n переход диода. |
ISM | Импульсный ток истока (Внутренний диод)(1) | — | — | 160 | А | |
VSD | Прямое напряжение на диоде | — | — | 1.3 | В | TJ = 25°C, IS = 25 A, VGS = 0 В (4) |
trr | Время обратного восстановления | — | 63 | 95 | нс | TJ = 25°C, IF = 25 A, di/dt = 100 A/мкс (4) |
Qrr | Обратное восстановление заряда | — | 170 | 260 | нКл | |
ton | Время включения в прямом направлении | Внутреннее время включения незначительно (зависит от суммы индуктивностей LS+LD) |
- Повторяющееся значение; ширина импульса ограничена максимальной температурой p-n перехода.
- Начальные условия TJ = 25°C, L = 0.48 мГн, RG = 25 Ом, IAS = 25 A.
- ISD ≤ 25 A, di/dt ≤ 230 A/мкс, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C
- Ширина импульса ≤ 400 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2%.
- Это типовое значение при разрушении устройства представляет собой работу за пределами номинальных значений.
- Эта расчетная величина ограничена температурой TJ = 175°C.