Особенности
- Рассеиваемая мощность PCM : 0.625 Вт ( Температура окружающей среды Tamb=25℃)
- Ток коллектора ICM : 0.5 А
- Напряжение коллектор-база V(BR)CBO : 40 В
Параметр | Обозначение | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
Максимально допустимое напряжение коллектор-база | V(BR)CBO | Ic= 100 мкА, IE=0 | 40 | В | ||
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер | V(BR)CEO | Ic= 100 мкА, IB=0 | 25 | В | ||
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база | V(BR)EBO | IE= 100 мкА, IC=0 | 5 | В | ||
Обратный ток коллектора | ICBO | VCB= 40 В , IE=0 | 0.1 | мкА | ||
Обратный ток коллектор-эмиттер | ICEO | VCE= 20 В , IB=0 | 0.2 | мкА | ||
Обратный ток эмиттера | IEBO | VEB= 3 В, IC=0 | 0.1 | мкА | ||
Коэффициент усиления по току | HFE(1) | VCE= 1 В, IC= 50 мА | 85 | 300 | ||
HFE(1) | VCE= 1 В, IC= 500 мА | 50 | ||||
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | IC= 500 мА, IB= 50 мА | 0.6 | В | ||
Напряжение насыщения база-эмиттер | VBE(sat) | IC= 500 мА, IB= 50 мА | 1.2 | В | ||
Напряжение база-эмиттер | VBE | IE= 100 мА | 1.4 | В | ||
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером | fT | VCE= 6 В, IC= 20 мА, f = 30 мГц | 150 | мГц |
Класс | B | C | D |
Диапазон | 85-160 | 120-200 | 160-300 |