К142ЕН6(А-Е)

Схема регулировки выходного напряжения каналов ИМС К142ЕН6(А — Е) для уменьшения напряжения в диапазонах ± (5 В — 10 % ... 15 В — 20 %)
Схема регулировки выходного напряжения
каналов ИМС К142ЕН6(А — Е)
для уменьшения напряжения в диапазонах
± (5 В — 10% … 15 В — 20%)

Схема регулировки выходного напряжения каналов ИМС К142ЕН6(А, Б, Д) для увеличения напряжения в диапазонах ± (15 В -f 20 % ... 25 В - f 10%) и К142ЕН6(В, Г, Е) — до ± (2 0 В + 10%)
Схема регулировки выходного напряжения
каналов ИМС К142ЕН6(А, Б, Д)
для увеличения напряжения в диапазонах
± (15 В + 20% … 25 В + 10%) и
К142ЕН6(В, Г, Е) — до ± (20 В + 10%)

Типовая схема включения ИМС К142ЕН6(А — Е)
Типовая схема включения
ИМС К142ЕН6(А — Е)

Электрическая схема включения
Электрическая схема включения
Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов
Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения. Диапазон регулировки ±15…+25 В для К142ЕН6 (А, Б, Д, Е) и ±15…±20 В для К142ЕН6 (В, Г)

а — С1 = С2 = С5 = С6 = 0,01…15 мкФ; С3 = С4 = 0,001…0,2 мкФ

 

Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения.
Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения. Диапазон регулировки ±15…+25 В для К142ЕН6 (А, Б, Д, Е) и ±15…±20 В для К142ЕН6 (В, Г)

б — С1 = С2 ≥ 1 мкФ; С5 = С6 ≥ 2 мкФ; С3 = С4 = 0,01…0,1 мкФ

Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения на микросхемах К142ЕН6 (А-Е)
Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения на микросхемах К142ЕН6 (А-Е). Диапазон регулировки ±5..±15 В 

а — R ≥ 6,8 кОм

Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов
Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения на микросхемах К142ЕН6 (А-Е). Диапазон регулировки ±5..±15 В 

б — R = 2…700 кОм

Описание

Микросхемы представляют собой двухполярные стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением ± 15 В и током нагрузки 200 мА. Содержат 77 интегральных элементов. При эксплуатации допускается подключение нагрузки к какому-либо одному или одновременно к двум выходам (каналам) микросхемы. Корпус типа 4116.8-2. Масса не более 3 г. Назначение выводов: 2 — регулировка; 4 — выход (—); 6 — вход (—); 8 — общий; 11 — коррекция (+); 13 — выход (+); 15 — вход (+); 17 — коррекция (—).

Общие рекомендации по применению

При эксплуатации ИМС по основным схемам включения допускается подключение нагрузки как к одному любому каналу, так и к двум каналам одновременно. Общие шины источника входного напряжения должны быть подключены к выводу 8. При подключении нагрузки только к положительному каналу входное напряжение на отрицательном канале должно быть | -Uвх| ≥ | -Uвх| + |-Uпд,min|.  При подключении нагрузки только к отрицательному каналу входное напряжение на положительном канале может быть уменьшено до 10 В. При подключении нагрузки одновременно
к двум каналам допускается эксплуатации ИМС как при несимметричном входном напряжении на каналах, так и их несимметричной нагрузке выходным током. В этом режиме максимальные значения выходного тока, входного напряжения и рассеиваемой мощности не должны превышать предельно допустимых норм, а |Uвх,min| = | Uвых | + | Uпд,min|.

Микросхемы К142ЕН6(А — Е) предусматривают возможность регулировки выходного напряжения в диапазонах 5… 15 и 15…25 В (см. соответствующие схемы включения).

При применении ИМС с регулировкой Uвых предпочтительнее использовать К142ЕН6Д и К142ЕН6Е. Регулировка осуществляется одновременно по обоим каналам; при этом параметры ИМС могут отличаться от норм, указанных в ТУ для Uвых=± 15 В.
Крепление ИМС осуществляется непосредственно к печатной плате или через переходные элементы методом распайки выводов корпуса на печатную плату. При этом радиатор закрепляется винтами:
к металлической теплоотводящей шине на печатной плате — в случае использования дополнительного теплоотвода; к печатной плате — без использования дополнительного теплоотвода.
Разрешается производить монтаж 2 раза, демонтаж 1 раз.
Низшая резонансная частота микросхемы 13 кГц.

 
Электрические параметры
Параметры Условия К142ЕН6А К142ЕН6Б К142ЕН6В Ед. изм.
Выходное напряжение при Uвх = ±20 В, Iвых = ±5 мА ±15±0,3  ±15±0,3  ±15±0,5 В
 Минимальное падение напряжения на положительном
выходе
при Uвых+ + U+пд,min, Iвых = 5 мА ≤+2,5 ≤+2,5 ≤+2,7 В
Минимальное падение напряжения на отрицательном
выходе
при Uвых + Uпд,min, Iвых = 5 мА ≤-3 ≤-3 ≤-3,2 В
Ток потребления при Uвх = ±30 В, Iвых = 0 ≤18 ≤18 ≤20 мА
Нестабильность по напряжению на положительном и отрицательном
выходах
T = +25 °С, Uвх = ±20 В, Iвых =  ±5 мА ≤0,0015 ≤0,005 ≤0,0025 %/В
Нестабильность по току на положительном и отрицательном
выходах
Uвх = ±20 В, Iвых =  ±5 мА ≤1 ≤1 ≤1,5 %/А
Температурный коэффициент напряжения на положительном
и отрицательном выходах
Uвх = ±20 В, Iвых =  ±5 мА ≤0,01 ≤0,01 ≤0,03 %/°С
Дрейф напряжения (за 500 ч) на положительном и отрицательном выходах Uвых = ±30 В, Iвых =  ±75 мА, Тк = 85 °С ≤1 ≤1 ≤1,5 %
Коэффициент сглаживания пульсаций на положительном
и отрицательном выходах
Uвх = ±20 В, Iвых =  ±5 мА ≥30 ≥30 ≥30 дБ

 

Электрические параметры
Параметры Условия К142ЕН6Г К142ЕН6Д К142ЕН6Е Ед.изм.
Выходное напряжение при Uвх = ±20 В, Iвых = ±5 мА  ±15±0,5  ±15±1   ±15±1 В
 Минимальное падение напряжения на положительном
выходе
при Uвых+ + U+пд,min, Iвых = 5 мА ≤+2,7 ≤+2,5 ≤+2,5 В
Минимальное падение напряжения на отрицательном
выходе
при Uвых + Uпд,min, Iвых = 5 мА ≤-3,2 ≤-3 ≤-3 В
Ток потребления при Uвх = ±30 В, Iвых = 0 ≤20  ≤18  ≤18 мА
Нестабильность по напряжению на положительном и отрицательном
выходах
T = +25 °С, Uвх = ±20 В, Iвых =  ±5 мА ≤0,0075 ≤0,005 ≤0,005 %/В
Нестабильность по току на положительном и отрицательном
выходах
Uвх = ±20 В, Iвых =  ±5 мА ≤1,5 ≤1 ≤1 %/А
Температурный коэффициент напряжения на положительном
и отрицательном выходах
Uвх = ±20 В, Iвых =  ±5 мА ≤0,03 ≤0,03 ≤0,03 %/°С
Дрейф напряжения (за 500 ч) на положительном и отрицательном выходах Uвых = ±30 В, Iвых =  ±75 мА, Тк = 85 °С ≤1,5 ≤1 ≤1 %
Коэффициент сглаживания пульсаций на положительном
и отрицательном выходах
Uвх = ±20 В, Iвых =  ±5 мА ≥30 ≥30 ≥30 дБ

 

 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия К142ЕН6А К142ЕН6Б К142ЕН6В Ед.изм.
Входное напряжение на каждом из входов во всем диапазоне температур корпуса U+вх  +40 +40 +30 В
 в предельном режиме +50  +50 +40
 Uвх  -40 -40 -30
 в предельном режиме -50 -50 -40
Напряжение между выводами во всем диапазоне температур корпуса U+вх, Uвх 60 60 50 В
 в предельном режиме 80 80 60
Выходной ток на каждом выходе во всем диапазоне температур
корпуса
200 200 200 мА
Рассеиваемая мощность при Тк = — 45…+ 70 °С 5 5 4 Вт
 в предельном режиме 10 10 8
при Тк = + 85 °С 2,5 2,5 2,5
 в предельном режиме 5 5 5
Статический потенциал 2000 2000 2000 В
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия К142ЕН6Г К142ЕН6Д К142ЕН6Е Ед.изм.
 Входное напряжение на каждом из входов во всем диапазоне температур корпуса  U+вх  +30  +40  +30 В
 в предельном режиме  +40  +50 +40
 Uвх  -30  -40 -30
 в предельном режиме -40 -50 -40
Напряжение между выводами во всем диапазоне температур корпуса U+вх, Uвх 50 60 50 В
 в предельном режиме 60 80 60
Выходной ток на каждом выходе во всем диапазоне температур
корпуса
200 200 150 мА
Рассеиваемая мощность при Тк = — 45…+ 70 °С 4 5 5 Вт
 в предельном режиме 8 10 10
при Тк = + 85 °С 2,5 2,5 2,5
 в предельном режиме 5 5 5
Статический потенциал 2000 2000 2000 В

 

Частотные характеристики коэффициента сглаживания пульсаций выходного напряжения положительного плеча стабилизаторов. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость
Частотные характеристики коэффициента сглаживания пульсаций выходного напряжения положительного плеча стабилизаторов. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Частотные характеристики коэффициента сглаживания пульсаций выходного напряжения отрицательного плеча стабилизаторов. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость
Частотные характеристики коэффициента сглаживания пульсаций выходного напряжения отрицательного плеча стабилизаторов. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Зависимости коэффициента стабилизации по току от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость
Зависимости коэффициента стабилизации по току от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Зависимости коэффициента стабилизации по току от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость
Зависимости коэффициента стабилизации по току от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Зависимость коэффициента стабилизации по току от тока нагрузки для положительного канала.
Зависимость коэффициента стабилизации по току от тока нагрузки для положительного канала. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Зависимость коэффициента стабилизации по току от тока нагрузки для отрицательного канала.
Зависимость коэффициента стабилизации по току от тока нагрузки для отрицательного канала.

Зависимость минимального падения напряжения положительного плеча от выходного тока.
Зависимость минимального падения напряжения положительного плеча стабилизаторов от выходного тока. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Зависимость минимального падения напряжения отрицательного плеча от выходного тока.
Зависимость минимального падения напряжения положительного плеча стабилизаторов от выходного тока. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Зависимость минимального падения напряжения отрицательного плеча от выходного тока.
Зависимость минимального падения напряжения отрицательного плеча от выходного тока. Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Зависимость минимального падения напряжения отрицательного плеча от выходного тока.
Зависимость минимального падения напряжения отрицательного плеча от выходного тока.  Заштрихована область разброса значений параметров для 95 % микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.