Описание

Микросхемы представляют собой семиканальный ключ. Выполнены на биполярных транзисторах с изоляцией р-n переходом. Предназначены для управления мощными нагрузками. Каждая микросхема обеспечивает сопряжение с определенными типами маломощных и биполярных МПО-микросхем. Принципиальные схемы микросхем К1109КТ22, К1109КТ23 и К1109КТ24 идентичны, отличие состоит в сопротивлении резистора R1. Корпус типа 238.16-3. Масса не более 1,5 г.

Назначение выводов: 1—вход 1-го ключа; 2—вход 2-го ключа; 3—вход 3-го ключа; 4—вход 4-го ключа; 5—вход 5-го ключа; 6— вход 6-го ключа; 7—вход 7-го ключа; 8—общий; 9—общий вывод диодов развязки; 10— выход 7-го ключа; 11—выход 6-го ключа; 12— выход 5-го ключа; 13—выход 4-го ключа; 14— выход 3-го ключа; 15—выход 2-го ключа; 16—
выход 1-го ключа.

Входной ток практически не зависит от температуры окружающей среды в диапазоне -10 … +70° С.

Тип микросхемы	Сопротивление резистора R1, кОм
К1109КТ22	2,7
К1109КТ23	10,5
К1109КТ24	1,05

Электрические параметры
Параметры	Условия	К1109КТ21	К1109КТ22	К1109КТ23	К1109КТ24	Ед. изм.
Аналог	—	ULN2002A	ULN2003A	ULN2004A	ULN2005A	—
Входное напряжение	при U0вых = 2 В, I0вых = 300 мА, Т = +25 °С	не более 13	не более 3	не более 8	не более 2	В
	при U0вых = 2 В, I0вых = 300 мА, Т = +70 °С	не более 14	не более 3,2	не более 8,5	не более 2,2
	при U0вых = 2 В, I0вых = 300 мА, Т = -10 °С	не более 15,5	не более 3,5	не более 9,5	не более 2,4
Выходное напряжение низкого уровня	при I0вых = 350 мА, I0вх = 0,5 мА, Т = +25 °С	не более 1,8	не более 1,8	не более 1,8	не более 1,8	В
Постоянное прямое напряжение защитного диода	при Iпр = 350 мА	не более 2	не более 2	не более 2	не более 2	В
Ток утечки выхода высокого уровня	при U1вых = 50 В, Т = -10…+25 °С	не более 50	не более 50	не более 50	не более 50	мкА
	при U1вых = 50 В, Т = +70 °С	не более 200	не более 200	не более 200	не более 200
Входной ток	при U0вх = 17 В,  Т = +25 °С	не более 1,2	—	—	—	мА
	при U0вх = 3,8 В,  Т = +25 °С	—	не более 1,3	—	—
	при U0вх = 5 В,  Т = +25 °С	—	—	не более 0,5	—
	при U0вх = 3 В,  Т = +25 °С	—	—	—	не более 2,4
Ток утечки защитного диода	при Uобр = 50 В,  Т = +25 °С	не более 50	не более 50	не более 50	не более 50	мкА
	при Uобр = 50 В,  Т = +70 °С	не более 100	не более 100	не более 100	не более 100
Входной ток высокого уровня управляющего напряжения	при I1вых = 0,5 мА, Т = +70 °С	не более 50	не более 50	не более 50	не более 50	мкА
Время задержки распространения при включении	при I0вых = 350 мА, I0вх = 0,5 мА,  Т = +25 °С	не более 1	не более 1	не более 1	не более 1	мкс
Время задержки распространения при выключении	при I0вх = 0,5 мА, I0вых = 350 мА,  Т = +25 °С	не более 1	не более 1	не более 1	не более 1	мкс
Входная емкость	при U1вых = 0, f = 10 МГц	12…16…25	12…16…25	12…16…25	12…16…25	пФ

Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры	Условия	К1109КТ21	К1109КТ22	К1109КТ23	К1109КТ24	Ед.изм.
Максимальное выходное напряжение одного ключа	—	50	50	50	50	В
Максимальный коммутируемый ток одного ключа	—	500	500	500	500	мА
Максимальный входной ток одного ключа	—	25	25	25	25	мА
Рассеиваемая мощность	Т = +25 °С (одного ключа)	0,75	0,75	0,75	0,75	Вт
	Т = +25 °С (микросхемы)	1,5	1,5	1,5	1,5
Температура окружающей среды	—	-10…+70	-10…+70	-10…+70	-10…+70	°С