К1109КТ2 — семиканальный ключ

 

Корпус типа 238.16-3
Корпус типа 238.16-3

Внутренняя схема
Внутренняя схема

Описание

Микросхема представляет собой семиканальный ключ. Выполнена на основе биполярных транзисторов с изоляцией р-n переходом. Предназначена для управления светоизлучающими диодами, накальными индикаторами и другими мощными нагрузками. Корпус типа 238.16-3. Масса не более 1,3 г.

Назначение выводов: 1—вход 1-го ключа; 2—вход 2-го ключа; 3—вход 3-го ключа; 4—вход 4-го ключа; 5—вход 5-го ключа; 6—вход 6-го ключа; 7—вход 7-го ключа; 5—общий; 9—общий вывод диодов развязки; 10—выход 7-го ключа; 11—выход 6-го ключа; 12—выход 5-го ключа; 13—выход 4-го ключа; 14—выход 3-го ключа; 15—выход 2-го ключа; 16—выход 1-го ключа.

1. Максимально допустимая импульсная мощность одного ключа 1 Вт, всей микросхемы 2 Вт.
2. При использовании индуктивной нагрузки для защиты ключа от возникающих выбросов напряжения вывод 9 должен присоединяться к ключевому выводу коммутируемого источника, питающего нагрузку.

 
Электрические параметры 
Параметры Условия К1109КТ2 Ед. изм.
Аналог — ULN2001А —
Выходное напряжение низкого уровня при I0вых = 350 мА, I0вх = 500 мкА, Т = +25 °С не более 1,8 В
Постоянное прямое напряжение защитного диода при Iпр,защ,д = 350 мА, Т = + 25 °С не более 2,2 В
Коэффициент усиления тока при U0вых = 2,5 В, I0вых = 350 мА, Т = + 25…+70 °С не менее 1000 —
при U0вых = 2,5 В, I0вых = 350 мА, Т = -10  °С не менее 500
Ток утечки высокого уровня при U1вых = 50 В, Т = -10…+25 °С не более 50 мкА
при U1вых = 50 В, Т = +70 °С не более 200
Входной ток высокого уровня при I1вых = 0,5 мА,  Т = +70 °С не более 35 мкА
Ток утечки защитного диода при Uобр = 50 В не более 50 мкА
Время задержки распространения при включении при I0вых = 350 мА, I0вх = 500 мкА,  Т = +25 °С не более 1 мкс
Время задержки распространения при выключении при I0вых = 350 мА,  Т = +25 °С не более 1 мкс
Предельная частота коммутируемого сигнала — 50 кГц
Входная емкость при U1вых = 0, f = 10 МГц не менее 12; не более 25 пФ
типовое значение 16
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия К1109КТ2 Ед.изм.
Выходное напряжение — 50 В
Коммутируемый ток — 350 мА
Импульсный коммутируемый ток при tи ≤ 100 мкс, Q ≥ 10 540 мА
 Входной ток — 25  мА
 Отрицательный входной ток — 50 мА
Прямой ток защитного диода — 500 мА
Рассеиваемая мощность   Т = +25 °С (одного ключа) 0,75 Вт
  Т = +25 °С (микросхемы) 1,5

 

Вольт-импернпя характеристики защитных диодов, входящих в состав микросхемы. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Вольт-амперная характеристики
защитных диодов, входящих в
состав микросхемы. Заштрихована
область разброса значений
параметра для 95% микросхем.
Сплошной линией показана типовая
зависимость

Зависимость тока утечки защитного диода от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость тока утечки защитного
диода от температуры окружающей
среды. Заштрихована
область разброса значений
параметра для 95% микросхем.
Сплошной линией показана типовая
зависимость

Зависимость входного тока при высоком уровне вводного напряжения от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость входного тока
при высоком уровне вводного
напряжения от температуры
окружающей среды. Заштрихована
область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной
линией показана типовая зависимость

Зависимость выходного напряжений низкого уровня от выходного тока нагрузки. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость выходного напряжений
низкого уровня от выходного тока нагрузки. Заштрихована область разброса значений параметра
для 95% микросхем. Сплошной
линией показана типовая зависимость

Зависимость коэффициента усиления по току УПТ микросхемы от .выходного тока. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость коэффициента
усиления по току УПТ микросхемы
от выходного тока. Заштрихована область разброса значений параметра
для 95% микросхем. Сплошной
линией показана типовая зависимость

Зависимость тока утечки по входу при высоком уровне напряжения иа выходе от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость тока утечки по
входу при высоком уровне
напряжения на выходе от температуры окружающей среды. Заштрихована
область разброса значений
параметра для 95% микросхем.
Сплошной линией показана
типовая зависимость

Зависимость максимальной рассеиваемой микросхемой мощности от температуры окружающей среды
Зависимость максимальной рассеиваемой микросхемой
мощности от температуры окружающей среды

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.