Описание

Микросхема представляет собой усилитель мощности с выходной мощностью 2 Вт для работы в звуковых трактах аппаратуры. Содержит 49 интегральных элементов. Корпус типа 238.12-1, масса не более 2 г.

Назначение выводов: 1, 12 — напряжение питания (—U_п); 2 — выход; 4 — напряжение питания (+U_п); 5, 8 — фильтр; 6 — вход 2; 7 — вход 1; 9 ,11 — коррекция.

 

Общие рекомендации по применению

Не допускается эксплуатация микросхемы в режиме, при котором два параметра имеют предельно допустимые значения.
При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена ее защита от случайных кратковременных увеличений напряжения питания.
При монтаже микросхемы рекомендуется предусматривать наименьшую длину выводов навесных элементов для уменьшения влияния паразитных связей. Замену микросхемы необходимо производить только при отключенном источнике питания.
Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода.
Температура пайки микросхемы при монтаже не более 265 °С, время касания вывода не более 3 с, интервал между пайками соседних выводов 10 с. Расстояние от корпуса до места пайки не менее 1 мм.

Электрические параметры
Параметры	Условия	К174УН5	Ед. изм.
Номинальное напряжение питания	—	12±10%	В
Ток потребления	при Uп = 12 В	≤30	мА
Коэффициент усиления	при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц	80…120	—
Нестабильность коэффициента усиления напряжения	при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц	≤±20	%
Коэффициент нелинейных искажений	при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 2 Вт	≤1	%
Номинальная мощность	отдаваемая в нагрузку Rн = 4 Ом при Uп = 12 В	2	Вт
Диапазон рабочих частот по уровню 3 дБ	—	30…20000	Гц
Входное сопротивление	при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц	≥10	кОм

Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры	Условия	К174УН5	Ед.изм.
Напряжение питания	—	≤13,2	В
Максимальное напряжение синфазных сигналов	—	≤5,5	В
Максимальная амплитуда выходного напряжения	—	≤1,5	В
Амплитуда тока в нагрузке разового сигнала	—	≤1,45	А
Максимальная длительность выходного импульса	при скважности 3	≤30	мс
Активное сопротивление нагрузки	—	≥3,2	Ом
Тепловое сопротивление	кристалл—среда	100	°С/Вт
	кристалл—корпус	20
Температура кристалла	—	≤125	°С
Температура окружающей среды	—	-25…+55	°С