Описание

Микросхемы представляют собой четырехканальные аналоговые ключи с повышенным быстродействием (однополюсное включение) для коммутации напряжения —10…+10 В.

Назначение выводов: 1 — 1-й сток; 2—подложка; 3— 1-й затвор; 4— 1-й исток; 5—2-й исток; 6 —2-й затвор; 7, 10, 15—свободные; 8—2-й сток; 9—3-й сток; 11—3-й затвор; 12—3-й исток; 13—4-й исток; 14—4-й затвор; 16—4-й сток.

1. Время включения для каждого транзистора не превышает 3 нс, типовое значение времени выключения составляет
12 нс при U_3подл = 5 В, U_Cподл = 5 В, С_н = 10 пФ.
2. Запрещается подача каких-либо электрических сигналов на выводы микросхемы, не используемые согласно принципиальной электрической схеме.
3. Потенциал на любом из выводов микросхем должен быть равным или более положительным по отношению к потенциалу на выводе 2.
4. Необходимо учитывать, что подложка К590КН8А, К590КН8Б электрически соединена с корпусом микросхемы.

 

Электрические параметры
Параметры	Условия	К590КН8А	К590КН8Б	КР590КН8А	КР590КН8Б	Ед. изм.
Аналог	—	—	—	SD5000	SD5200	—
Номинальное напряжение питания	—	±12	±12	±12	±12	В
Пороговое напряжение	при Ic = 0,01 мА, Т = +25 °С	0,1…2	0,5…2	0,1…2	0,5…2	В
Ток утечки стока	при Uc = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +25 °С	не более 50	—	не более 50	—	нА
	при Uc = 30 В, Uп = 0, Uз = 0, Т = +25 °С	—	не более 10	—	не более 10
	при Uc = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +70 °С	не более 100	—	не более 100	—
	при Uc = 30 В, Uп = 0, Uз = 0, Т = +70 °С	—	не более 70	—	не более 70
	при Uc = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +85 °С	не более 400	—	не более 400	—
	при Uc = 30 В, Uп = 0, Uз = 0, Т = +85 °С	—	не более 100	—	не более 100
Ток утечки истока	при Uи = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +25 °С	не более 50	—	не более 50	—	нА
	при Uи = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +70 °С	не более 100	—	не более 100	—
	при Uи = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +85 °С	не более 400	—	не более 400	—
Ток утечки затвора	при Uc = 30 В, Т = +25 °С	не более 0,5	—	не более 0,5	—	мкА
	при Uc = 20 В, Т = +25 °С	—	не более 0,5	—	не более 0,5
Сопротивление сток—исток	при Uз = 5 В, Iс = 10 мА, Т = +25 и -45 °С	не более 70	не более 70	не более 70	не более 70	Ом
	при Uз = 5 В, Iс = 10 мА, Т = Tmax	не более 100	не более 100	не более 100	не более 100
Сопротивление сток—исток	при Uз = 10 В, Iс = 10 мА, Т = +25 °С	не более 45	не более 45	не более 45	не более 45	Ом
Входная емкость	при Uc = 10 В, Uз = Uподл = -15 В	—	—	не более 5	не более 5	пФ
Проходная емкость	при Uc = 10 В, Uз = Uподл = -15 В	—	—	не более 1,5	не более 1,5	пФ
Выходная емкость	при Uc = 10 В, Uз = Uподл = -15 В	—	—	не более 8	не более 8	пФ

Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры	Условия	К590КН8А	К590КН8Б	КР590КН8А	КР590КН8Б	Ед.изм.
Напряжение сток—исток	—	±20	0…30	±20	0…30	В
Напряжение сток—подложка	—	0…25	0…30	0…25	0…30	В
Напряжение исток—подложка	—	0…25	0…25	0…25	0…25	В
Напряжение затвор—исток	—	±25	0…20	±25	0…20	В
Напряжение затвор—сток	—	±25	0…20	±25	0…20	В
Напряжение затвор—подложка	—	0…30	0…20	0…30	0…20	В
Ток стока	—	50	50	50	50	мА
Рассеиваемая мощность	при Т = -45…+40 °С	1	1	1	1	Вт
	при Т = +85 °С	0,59	0,59	0,59	0,59
Температура окружающей среды	—	-45…+85	-45…+85	-45…+70	-45…+70	°С