К590КН8 (А, Б), КР590КН8 (А, Б) — четырехканальные аналоговые ключи

 

Внутренняя схема
Внутренняя схема

Схема включения микросхем К590КН8 (А, Б), КР590КН8 (А, Б) с ТТЛ-микросхемами
Схема включения микросхем К590КН8 (А, Б), КР590КН8 (А, Б) с ТТЛ-микросхемами

Описание

Микросхемы представляют собой четырехканальные аналоговые ключи с повышенным быстродействием (однополюсное включение) для коммутации напряжения —10…+10 В.

Назначение выводов: 1 — 1-й сток; 2—подложка; 3— 1-й затвор; 4— 1-й исток; 5—2-й исток; 6 —2-й затвор; 7, 10, 15—свободные; 8—2-й сток; 9—3-й сток; 11—3-й затвор; 12—3-й исток; 13—4-й исток; 14—4-й затвор; 16—4-й сток.

1. Время включения для каждого транзистора не превышает 3 нс, типовое значение времени выключения составляет
12 нс при U3подл = 5 В, UCподл = 5 В, Сн = 10 пФ.
2. Запрещается подача каких-либо электрических сигналов на выводы микросхемы, не используемые согласно принципиальной электрической схеме.
3. Потенциал на любом из выводов микросхем должен быть равным или более положительным по отношению к потенциалу на выводе 2.
4. Необходимо учитывать, что подложка К590КН8А, К590КН8Б электрически соединена с корпусом микросхемы.

 

 
Электрические параметры 
Параметры Условия К590КН8А К590КН8Б КР590КН8А КР590КН8Б Ед. изм.
Аналог SD5000 SD5200
Номинальное напряжение питания ±12 ±12 ±12 ±12 В
Пороговое напряжение при Ic = 0,01 мА, Т = +25 °С 0,1…2 0,5…2 0,1…2 0,5…2 В
Ток утечки стока при Uc = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +25 °С не более 50 не более 50 нА
при Uc = 30 В, Uп = 0, Uз = 0, Т = +25 °С не более 10  не более 10
при Uc = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +70 °С не более 100 не более 100
при Uc = 30 В, Uп = 0, Uз = 0, Т = +70 °С не более 70 не более 70
при Uc = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +85 °С не более 400 не более 400
при Uc = 30 В, Uп = 0, Uз = 0, Т = +85 °С не более 100 не более 100
Ток утечки истока при Uи = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +25 °С не более 50 не более 50 нА
при Uи = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +70 °С не более 100 не более 100
при Uи = 20 В, Uподл = -5 В, Uз = -5 В, Т = +85 °С не более 400 не более 400
 Ток утечки затвора  при Uc = 30 В, Т = +25 °С  не более 0,5  не более 0,5  — мкА
 при Uc = 20 В, Т = +25 °С не более 0,5 не более 0,5
Сопротивление сток—исток при Uз = 5 В, Iс = 10 мА, Т = +25 и -45 °С не более 70 не более 70 не более 70 не более 70 Ом
при Uз = 5 В, Iс = 10 мА, Т = Tmax не более 100 не более 100 не более 100 не более 100
Сопротивление сток—исток при Uз = 10 В, Iс = 10 мА, Т = +25 °С не более 45 не более 45 не более 45 не более 45 Ом
Входная емкость  при Uc = 10 В, Uз = Uподл = -15 В не более 5 не более 5 пФ
Проходная емкость  при Uc = 10 В, Uз = Uподл = -15 В не более 1,5 не более 1,5 пФ
Выходная емкость  при Uc = 10 В, Uз = Uподл = -15 В не более 8 не более 8 пФ
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия К590КН8А К590КН8Б КР590КН8А КР590КН8Б Ед.изм.
 Напряжение сток—исток ±20 0…30  ±20 0…30 В
Напряжение сток—подложка 0…25 0…30 0…25 0…30 В
Напряжение исток—подложка 0…25 0…25 0…25 0…25 В
Напряжение затвор—исток ±25 0…20 ±25 0…20 В
Напряжение затвор—сток ±25 0…20 ±25 0…20 В
Напряжение затвор—подложка 0…30 0…20 0…30 0…20 В
Ток стока 50 50 50 50 мА
Рассеиваемая мощность при Т = -45…+40 °С 1 1 1 1 Вт
при Т = +85 °С 0,59 0,59 0,59 0,59
Температура окружающей среды -45…+85 -45…+85 -45…+70  -45…+70 °С

 

Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от температуры окру-' жакяцей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем.
Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость порогового напряжения затвор — исток транзисторов микросхем от напряжения исток--подложка.' Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость порогового напряжения
затвор — исток транзисторов микросхем от напряжения исток — подложка. Заштрихована область
разброса значений параметра
для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость порогового напряжения затвор-исток транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость порогового напряжения
затвор-исток транзисторов
микросхем от температуры
окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость тока утечки истока транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость тока утечки истока
транзисторов микросхем от температуры окружающей
среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией
показана типовая зависимость

Зависимость тока утечки стока транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значе- .ний параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость тока утечки стока транзисторов микросхем от температуры окружающей
среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от напряжения затвор—исток при различных значениях напряжения подложка—исток:
Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от напряжения затвор—исток при различных значениях напряжения
подложка—исток:1 — Uи-подл = 0; 2 — Uи-подл = -5 В; 3 — Uи-подл = -10 В; 4 — Uи-подл = -15 В

Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от тока стока при различных значениях напряжения затвор— исток
Зависимость сопротивления
открытого канала транзисторов
микросхем от тока стока при различных значениях напряжения затвор—исток

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.