КР1014КТ1 (А, Б, В) — ключи на МОП-транзисторах

 

Габаритный чертеж корпуса 2101.8-1
Габаритный чертеж корпуса 2101.8-1

Принципиальная схема микросхемы КР1014КТ1
Принципиальная схема микросхемы КР1014КТ1

Описание

Микросхемы представляют собой ключи. Выполнены на МОП-транзисторах. Предназначены для коммутации электрических цепей. Корпус типа 2101.8-1. Масса не более 1 г.
Назначение выводов: 1, 8—управляющие входы; 4, 5—выходы; 2, 3, 6, 7—входы.

1. Допустимое значение статического потенциала 500 В.
2. Температура пайки +235° С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 2 мм, продолжительность пайки не более 5 с.

 
Электрические параметры 
Параметры Условия КР1014КТ1А КР1014КТ1Б КР1014КТ1В Ед. изм.
Аналог VN2410 VN2410 VN2410
Обратное напряжение (падение напряжения на
канале ключа при инверсном включении)
при Iком = 110 мА, Т = +60…+70 °С не более 1 не более 1 не более 1 В
Управляющий ток Uупр = 5 В, Т = -60…+70 °С не более 1 не более 1 не более 1 мкА
Ток утечки на входе Uком = 75 В, Т = -60…+55 °С не более 20 не более 20 не более 10 мкА
Частота переключения Uупр = 5 В, Uком = 75 В, tфр,упр = 250 нс, Rвн,ист,с = 300 Ом, Т = -60…+70 °С не более 100 не более 100 не более 100 кГц
Время включения и выключения Uупр = 5 В, Uком = 75 В, tфр,упр = 250 нс, Rвн,ист,с = 300 Ом, Т = -60…+70 °С не более 5 не более 5 не более 5 мкс
Сопротивление в открытом состоянии Iком = 35 мА, Т = -60…+70 °С, Uупр = 2,5 В не более 10 не более 10 Ом
Iком = 35 мА, Т = -60…+70 °С, Uупр = 4,5 В не более 10
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия КР1014КТ1А КР1014КТ1Б КР1014КТ1В Ед.изм.
Управляющее напряжение 3,5 5,5 3,5 В
Напряжение затвор—сток в закрытом состоянии 75 75 75 В
при f = 50 Гц, Q = 2, t = 5 мин 230
Коммутируемый ток 110 110 110 мА
Рассеиваемая мощность 0,15 0,15 0,15 Вт
Температура окружающей среды -60…+70 -60…+70 -60…+70 °С

 

Зависимости порогового напряжения транзисторного ключа микросхемы от температуры окружающей среды. Заштрихованы области разброса параметра для 95% микросхем. Сплошными линиями показаны типовые зависимости
Зависимости порогового напряжения
транзисторного ключа микросхемы
от температуры окружающей
среды. Заштрихованы области
разброса параметра для 95% микросхем. Сплошными линиями показаны типовые зависимости

Зависимость входного тока утечки от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость входного тока
утечки от температуры окружающей
среды. Заштрихована
область разброса значений
параметра для 95%
микросхем. Сплошной линией
показана типовая зависимость

Зависимость сопротивления открытого ключа от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимость сопротивления
открытого ключа от температуры
окружающей среды.
Заштрихована область разброса
значений параметра
для 95% микросхем. Сплошной
линией показана типовая
зависимость

Зависимости коммутируемого тока микросхемами от напряжения затвор-исток.
Зависимости коммутируемого тока микросхемами от напряжения затвор-исток. Заштрихована область разброса значений параметра
для 95% микросхем. Сплошной
линией показана типовая
зависимость

Зависимости времени включения и выключения от вносимого сопротивления открытым ключом (сопротивления участка исток-сток).
Зависимости времени включения и выключения от вносимого сопротивления открытым ключом (сопротивления участка исток-сток). Заштрихована область разброса значений параметра
для 95% микросхем. Сплошной
линией показана типовая
зависимость

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.