КР165ГФ2 — четырехфазный генератор импульсов

 

Условное графическое обозначение ИМС КР165ГФ2
Условное графическое обозначение ИМС КР165ГФ2

Описание

Микросхема представляет собой четырехфазный генератор импульсов, изготовленный по МОП-технологии. Предназначена для применения в клавишных вычислительных машинах и управляющих устройствах. По уровням входных и выходных сигналов совместима с микросхемами серии К145. Содержит 250 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1,1 г.

Назначение выводов: 1, 13 — регулировка частоты; 2 — выход фазы Ф4; 6 — выход фазы Ф2; 7 — выход стабилизатора; 8 —  напряжение питания (-Uп); 9 — выход фазы Ф1; 12 — выход фазы Ф3; 14 — общий (+Uп); 3, 4, 5, 10, 11 — не используются.

Общие рекомендации по применению

При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхемы. Температура пайки микросхем 235±5 °С. Расстояние от корпуса до места пайки не менее 1 мм, продолжительность пайки более 2,5 с. Допустимое значение статического потенциала 200 В.

 
Электрические параметры
Параметры Условия КР165ГФ2 Ед. изм.
Номинальное напряжение питания -27+5% В
Выходное напряжение высокого уровня при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В ≥23,7 В
Выходное напряжение низкого уровня при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В ≤1 В
Выходное напряжение высокого уровня фаз Ф1 и Ф2 в режиме запрета при Uп = -24,3 В, Uвх = -15 В ≤1 В
Входное напряжение низкого уровня фазы Ф2 при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В ≤0,5 В
Ток потребления при Uп = -29,7 В,  Uвх = -2 В, fг = 115 кГц ≤12 мА
Входной ток фаз Ф1 и Ф2 ≤10 мкА
Частота генерирования при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В 90…110 кГц
Уход частоты при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В ≤±15 %
Время перекрытия фаз Ф1 и Ф2, Ф3 и Ф4 при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В ≥1,1 мкс
Время сдвига спадов импульса Ф1 и Ф2, Ф3 и Ф4 при Uп = -24,3 В ≥1,1 мкс
Интервал времени между импульсами Ф2 и Ф4, Ф4 и Ф2 при Uп = -24,3 В, Uвх = -2 В ≥0,1 мкс
Время перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня при С0,11,3 = 950 пФ ≤0,8 мкс
Время перехода из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня при С1,01,3 = 950 пФ ≤0,5 мкс

Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия КР165ГФ2 Ед.изм.
Напряжение на выводах питания и подключения внешнего резистора, задающего частоту -24,3…-28,4 В
Сопротивление нагрузки по выходам фаз Ф1, Ф3 ≥51 кОм
Ф2, Ф4 ≥100
Сумма емкостей нагрузки по выходам фаз ≤2500 пФ
Температура окружающей среды -10…+70 °С

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.