Микросхемы представляют собой матрицы n-p-n транзисторов. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.
Электрические параметры
Параметры
Условия
КР198НТ1А
КР198НТ1Б
Ед. изм.
Напряжение насыщения база-эмиттер
при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С
не более 1
не более 1
В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С
не более 0,7
не более 0,7
В
Обратный ток коллектора
при UКБ = 6 В, Т = +25 °С
не более 0,04
не более 0,04
мкА
Статический коэффициент передачи тока в
схеме с общим эмиттером
при Uкэ = 3 В, Iэ = 0,5 мА, Т = +25 °С
20…125
60…250
—
Разброс значений статического коэффициента
передачи тока дифференциальной пары в микросхемах
КР198НТ1А, КР198НТ1Б
—
не более 15
не более 15
%
Разброс прямых напряжений база—эмиттер
дифференциальной пары в микросхемах
КР198НТ1А, КР198НТ2А
—
не более 4
не более 4
мВ
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры
Условия
КР198НТ1А
КР198НТ1Б
Ед.изм.
Постоянное напряжение коллектор—база
—
15
15
В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
—
15
15
В
Обратное напряжение коллектор — эмиттер
—
15
15
В
Обратное напряжение база— эмиттер
—
4
4
В
Постоянный ток коллектор
—
10
10
мА
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения
—
30
30
мА
Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды
Т = -45…+85 °С одним транзистором
20
20
мВт
Т = -45…+85 °С матрицей
100
100
Температура окружающей среды
—
-45…+85
-45…+85
°С
Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости напряжений насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды при IБ = 0,7 мА, Iк = 3 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости напряжений насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока базы при Iк = 3 мА
Зависимости напряжения насыщения коллектор—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока коллектора при IБ = 0,5 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости тока базы транзисторов, входящих в состав микросхем, от напряжения база-эмиттер
Выходные вольт-амперные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем
Зависимость разности прямых напряжений база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем (дифференциальной пары), от температуры окружающей среды при ΣIэ = 0,5 мА, Т = +25 °С. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока эмиттера при UКБ = 3 В. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости разности статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером дифференциальной пары транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды
Зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: