КР198НТ1 (А, Б) — матрицы n-p-n транзисторов

 

Корпус типа 201.14-1
Корпус типа 201.14-1

Схема включения
Схема включения

Описание

Микросхемы представляют собой матрицы n-p-n транзисторов. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.

 
Электрические параметры 
Параметры Условия КР198НТ1А КР198НТ1Б Ед. изм.
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С  не более 1  не более 1 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С  не более 0,7   не более 0,7 В
Обратный ток коллектора при UКБ = 6 В, Т = +25 °С   не более 0,04   не более 0,04 мкА
Статический коэффициент передачи тока в
схеме с общим эмиттером		 при Uкэ = 3 В, Iэ = 0,5 мА, Т = +25 °С 20…125 60…250  —
 Разброс значений статического коэффициента
передачи тока дифференциальной пары в микросхемах
КР198НТ1А, КР198НТ1Б		 — не более 15  не более 15  %
Разброс прямых напряжений база—эмиттер
дифференциальной пары в микросхемах
КР198НТ1А, КР198НТ2А		 — не более 4  не более 4 мВ
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия КР198НТ1А КР198НТ1Б Ед.изм.
Постоянное напряжение коллектор—база — 15 15 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер — 15 15 В
Обратное напряжение коллектор — эмиттер — 15 15 В
Обратное напряжение база— эмиттер — 4 4 В
Постоянный ток коллектор — 10 10 мА
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения — 30 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды Т = -45…+85 °С одним транзистором 20 20 мВт
Т = -45…+85 °С матрицей 100 100
Температура окружающей среды — -45…+85  -45…+85 °С

 

Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микросхем от температуры окружающей среды.
Зависимости обратного тока
коллектора транзисторов, входящих
в состав микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией
показана типовая зависимость

Зависимости напряжений насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды
Зависимости напряжений насыщения
коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды при IБ = 0,7 мА, Iк = 3 мА.  Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости напряжений насыщения коллектор—-эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока базы
Зависимости напряжений насыщения
коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав
микросхем, от тока базы при Iк = 3 мА

Зависимости напряжения насыще- Зависимости тока базы тран- ния коллектор—эмиттер транзис- зисторов, входящих в состав торов, входящих в состав микро- микросхем, от напряжения схем, от тока коллектора
Зависимости напряжения насыщения коллектор—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока коллектора при IБ = 0,5 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости тока базы транзисторов, входящих в состав микросхем, от напряжения база-эмиттер
Зависимости тока базы транзисторов, входящих в состав микросхем, от напряжения база-эмиттер

Выходные вольт-амперные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем
Выходные вольт-амперные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем

Зависимость разности прямых напряжений база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем (дифференциальной пары), от температуры окружающей среды
Зависимость разности прямых напряжений база—эмиттер
транзисторов, входящих в состав
микросхем (дифференциальной
пары), от температуры окружающей
среды при ΣIэ = 0,5 мА, Т = +25 °С.  Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока эмиттера
Зависимости коэффициента передачи
тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока эмиттера при UКБ = 3 В. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости разности статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером дифференциальной пары транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды
Зависимости разности статических
коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером дифференциальной пары транзисторов, входящих
в состав микросхем, от температуры окружающей среды

Зависимость статического- коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды
Зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в
состав микросхем, от температуры
окружающей среды

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.