|
|
|
Описание
Микросхемы представляют собой матрицы n-p-n транзисторов. Микросхемы КР198НТ5А, КР198НТ5Б содержат 5 транзисторов n-p-n. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.
| Электрические параметры | ||||
| Параметры | Условия | КР198НТ5А | КР198НТ5Б | Ед. изм. |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С | не более 1 | не более 1 | В |
| Напряжение насыщения коллектор—эмиттер | при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С | не более 0,5 | не более 0,75 | В |
| Обратный ток коллектора | при UКБ = 6 В | не более 0,3 | не более 0,3 | мкА |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером |
при Uкэ = 3 В, Iэ = 0,5 мА, Т = +25 °С | 20…125 | 60…300 | — |
| Разброс значений статического коэффициента передачи тока дифференциальной пары в микросхемах КР198НТ5А, КР198НТ5Б |
— | не более 15 | не более 15 | % |
| Разброс прямых напряжений база—эмиттер дифференциальной пары в микросхемах КР198НТ5А, КР198НТ6А |
— | не более 5 | не более 5 | мВ |
| Предельно допустимые режимы эксплуатации | ||||
| Параметры | Условия | КР198НТ5А | КР198НТ5Б | Ед.изм. |
| Постоянное напряжение коллектор—база | — | 15 | 30 | В |
| Постоянное напряжение коллектор—эмиттер | — | 15 | 30 | В |
| Обратное напряжение коллектор — эмиттер | — | 15 | 15 | В |
| Обратное напряжение база— эмиттер | — | 4 | 4 | В |
| Постоянный ток коллектор | — | 10 | 10 | мА |
| Постоянный ток коллектора в режиме насыщения | — | 30 | 30 | мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды | Т = -45…+85 °С одним транзистором | 30 | 30 | мВт |
| Т = -45…+85 °С матрицей | 120 | 120 | ||
| Температура окружающей среды | — | -45…+85 | -45…+85 | °С |
|
|
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: