MJW16212 — кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор

Корпус транзистора MJW16212 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора MJW16212 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор для выходных каскадов строчной развертки мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vces Напряжение коллектор-эмиттер — — — 1500 В
Vebo Напряжение эмиттера-база — — — 8 В
Ic Ток коллектора постоянный — — — 10 А
Icm Ток коллектора импульсный — — — 15 А
Ib Ток базы — — — 5,0 А
Ibm Ток базы импульсный — — — 10 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 150 Вт
Iebo Обратный ток коллектора Vce = 1500 В, Vbe = 0 В — — 250 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 10 А 4 6 10
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,5 А, Ib = 2,2 А — 0,15 1 В
Ic = 3,0 А, Ib = 0,4 А — 0,14 1
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,5 А, Ib = 2,2 А — 0,9 1,5 В
Tf Время спада импульса Индуктивная нагрузка — 200 350 нс
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В, f = 1,0 МГц — 180 350 пФ

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.