Описание
Кремниевый эпитаксиальный планарный PNP транзистор для выходных каскадов видеоусилителей телевизионных приемников.
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором 2SA1403.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 80 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 60 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 4 | В |
Ic | Ток коллектора | — | — | — | 500 | мА |
Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 1000 | мА |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 8 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 60 В, Ie = 0 | — | — | 0,1 | мкА |
Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 2 В, Ic = 0 | — | — | 0,1 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
|
Vce = 10 В, Ic = 50 мA | 40 | — | 320 | — |
Vce = 10 В, Ic = 250 мA | 20 | — | — | |||
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 100 мA, Ib = 10 мА | — | — | 0,6 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 100 мA, Ib = 10 мА | — | — | 1,0 | В |
Ft | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 10 В, Iс = 0,1 А | — | 700 | — | МГц |
2SA1403/2SC3597 | C | D | E | F | ||
hFE (Ic = 50 мА) | 40 80 | 60 120 | 100 200 | 160 320 |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: