
Описание
Кремниевый эпитаксиальный планарный PNP транзистор для выходных каскадов видеоусилителей телевизионных приемников.
Особенности:
- Для применения в схемах широкополосных усилителей.
- Комплементарная пара с транзистором 2SA1403.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 80 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 60 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 4 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 500 | мА |
| Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 1000 | мА |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 8 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 60 В, Ie = 0 | — | — | 0,1 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 2 В, Ic = 0 | — | — | 0,1 | мкА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
|
Vce = 10 В, Ic = 50 мA | 40 | — | 320 | — |
| Vce = 10 В, Ic = 250 мA | 20 | — | — | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 100 мA, Ib = 10 мА | — | — | 0,6 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 100 мA, Ib = 10 мА | — | — | 1,0 | В |
| Ft | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 10 В, Iс = 0,1 А | — | 700 | — | МГц |
| 2SA1403/2SC3597 | C | D | E | F | ||
| hFE (Ic = 50 мА) | 40 80 | 60 120 | 100 200 | 160 320 | ||
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: