2SC3675 — кремниевый диффузионный NPN транзистор

Корпус транзистора 2SC3675 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC3675 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для схем динамической фокусировки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высокое напряжение пробоя.
  • Малая выходная емкость (Cob = 2,8 пФ).
  • Высокая надежность.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 900 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 5 В
Ic Ток коллектора — — — 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный — — — 300 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 10 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 900 В, Ie = 0 — — 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 — — 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 мA 30 — — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 20 мA, Ib = 4 мА — — 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 20 мA, Ib = 4 А — — 1,5 В
Ft Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Iс = 10,0 мА — 6 — МГц
Cob Выходная емкость Vcb = 100 В, fT= 1 МГц — 2,8 — пФ

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.