Описание
Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для импульсных источников питания.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В.
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 900 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 7 | В |
Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 5,0/10 | А |
Ib | Ток базы | — | — | — | 2,5 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 100 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 800 В | — | — | 100 | мкА |
Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 7 В | — | — | 100 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 4 В, Ic = 2,0 A | 10 | — | 30 | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 2,0 A, Ib = 0,4 А | — | — | 0,5 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 2,0 A, Ib = 0,4 А | — | — | 1,2 | В |
Ft | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 12 В, Ie = 0,5 А | — | 6 | — | МГц |
Cob | Выходная емкость | Vce = 10 В, F= 1 МГц | — | 75 | — | пФ |
Tf | Время спада импульса | RI = 250 Ом, Ic = 2,0 A | — | — | 1,0 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: