Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.
Особенности:
- Высокая надежность.
- Высокая скорость переключения
- Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 6 | В |
Ic | Ток коллектора | — | — | — | 10 | А |
Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 25 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 150 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 800 В, Ie = 0 | — | — | 1 | мА |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | Ic = 100 мА, Ib = 0 | 800 | — | — | В |
Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 4 В, Ic = 0 | — | — | 1 | мА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 A | 8 | — | — | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 8 A, Ib = 2,0 А | — | — | 5 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 8 A, Ib = 2,0 А | — | — | 1,5 | В |
Tf | Время спада импульса | Ic = 6 А, Ib = 1,2 А | — | 0,1 | 0,2 | мкс |
Tstg | Время установления | Ic = 6 А, Ib = 1,2 А | — | — | 3,0 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: