2SC3955 — кремниевый эпитаксиальный планарный NPN транзистор

Корпус транзистора 2SC3955 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC3955 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый эпитаксиальный планарный NPN транзистор для выходных каскадов видеоусилителей телевизионных приемников.

Особенности:

  • Для применения в схемах широкополосных усилителей.
  • Комплементарная пара с транзистором 2SA1540.
  • Высокая граничная частота эффективного усиления (fT = 300 МГц).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 200 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 3 В
Ic Ток коллектора — — — 100 мА
Icp Ток коллектора импульсный — — — 200 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 7 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 150 В, Ie = 0 — — 0,1 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 2 В, Ic = 0 — — 0,1 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 10 мA 40 — 320 —
Vce = 10 В, Ic = 50 мA 20 — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 20 мA, Ib = 2 мА — — 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 20 мA, Ib = 2 мА — — 1,0 В
fT Граничная частота эффективного усиления Vce = 30 В, Ic = 30 мA — 300 — МГц
2SA1540/2SC3955 C D E F
hFE (Ic = 50 мA) 40   80 60   120 100   200 160   320

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.