2SC4231 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор

Корпус транзистора 2SC4231 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC4231 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для импульсных источников питания.

Особенности:

  • Серия мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1200 В).
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Высокая надежность.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 7 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный — — — 2,0/4,0 А
Ib Ток базы — — — 1,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Tc = 25 °C — — 30 Вт
Icbo Обратный ток коллектора — — — 100 мкА
Iebo Обратный ток эммитера — — — 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 8 — — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А — — 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А — — 1,5 В
Ft Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,2 A — 8 — МГц
Ton Время включения Ic = 1,0 А — — 0,5 мкс
Tf Время спада импульса RI = 250 Ом, Ic = 1,0 А — — 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.