Описание
Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для импульсных источников питания.
Особенности:
- Серия мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1200 В).
- Низкое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
- Высокая надежность.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1200 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 7 | В |
Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 6,0/12,0 | А |
Ib | Ток базы | — | — | — | 3,0 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Tc = 25 °C | — | — | 100 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | — | — | — | 100 | мкА |
Iebo | Обратный ток эммитера | — | — | — | 100 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 3,0 A | 8 | — | — | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 3,0 A, Ib = 0,6 А | — | — | 1,0 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 3,0 A, Ib = 0,6 А | — | — | 1,5 | В |
Ft | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 10 В, Ic = 0,6 A | — | 8 | — | МГц |
Ton | Время включения | Ic = 3,0 А | — | — | 0,5 | мкс |
Tf | Время спада импульса | RI = 85 Ом, Ic = 3,0 А | — | — | 0,3 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: