2SC4300 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор

Корпус транзистора 2SC4300 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC4300 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для импульсных источников питания.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Высокая надежность.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 900 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 7 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный — — — 5,0/10 А
Ib Ток базы — — — 2,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 75 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В — — 100 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 7 В — — 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 4 В, Ic = 2,0 A 10 — 30 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2,0 A, Ib = 0,4 А — — 0,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2,0 A, Ib = 0,4 А — — 1,2 В
Ft Граничная частота эффективного усиления Vce = 12 В, Ie = 0,5 А — 6 — МГц
Cob Выходная емкость Vce = 10 В, F= 1 МГц — 75 — пФ
Tf Время спада импульса RI = 125 Ом, Ic = 2,0 A — — 1,0 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.