2SC4429 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC4429 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC4429 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для схем импульсных источников питания.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1100 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 7 В
Ic Ток коллектора — — — 8 А
Icp Ток коллектора импульсный — — — 25 А
Ib Ток базы — — — 4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 60 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 — — 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 5 В, Ic = 0 — — 10 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,6 A 10 — 40 —
Vce = 5 В, Ic = 3,0 A 8 — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А — — 2,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А — — 1,5 В
fT Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,6 A — 15 — МГц
Tf Время спада импульса Ic = 6 А, Ib = 1,2 А, RL = 66,7 Ом — — 0,3 мкс
Tstg Время установления Ic = 6 А, Ib = 1,2 А, RL = 66,7 Ом — — 3,0 мкс
2SC4429 K L M
hFE 10   20 15   30 20   40

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.