
Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для схем динамической фокусировки телевизионных приемников.
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя.
- Малая выходная емкость (Cob = 1,6 пФ).
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 1200 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
Ic | Ток коллектора | — | — | — | 10 | мА |
Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 30 | мА |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 2 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 1200 В, Ie = 0 | — | — | 1,0 | мкА |
Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 4 В, Ic = 0 | — | — | 1,0 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 500 мкA | 10 | — | 60 | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 1,0 мA, Ib = 200 мкА | — | — | 5 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 1,0 мA, Ib = 200 мкА | — | — | 2 | В |
fT | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 10 В, Ic = 500 мкA | — | 6 | — | МГц |
Cob | Выходная емкость | Vcb = 100 В, fT = 1 МГц | — | 1,6 | — | пФ |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: