2SC4897 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC4897 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC4897 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 800 В
Vebo Напряжение эмиттера-база — — — 6 В
Ic Ток коллектора постоянный — — — 20 А
Ip Ток коллектора импульсный — — — 25 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 150 Вт
V(br)ceo Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Ic = 10,0 мА, Rbe = ∞ 800 — — В
V(br)ebo Напряжение пробоя эмиттер-база Ie = 10 мА, Ic = 0 6 — — В
Ices Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В — — 500 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 А — — 38 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 14 А, Ib = 3,5 А — — 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 14 А, Ib = 3,5 А — — 1,5 В
Tf Время спада импульса  Ic = 10 А, Ib = 2,0 А, F = 31,5 кГц — — 0,5 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.